Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 4.3188 EUR
Availability: InStock

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FDMS86163P
Codice DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86163PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86163P
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 7,9 A (Ta), 50 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86163P Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4085 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,9 A (Ta), 50 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMS86163
RDSon (max) a Id, Vgs 22mohm a 7,9A, 10V