PMV31XN,215 NXP USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PMV31XN,215
Codice DigiKey	568-2354-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	NXP USA Inc.
Codice produttore	PMV31XN,215
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 5.9A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 5,9 A (Tc) 280mW (Tj) A montaggio superficiale SOT-23 (TO-236AB)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMV31XN,215 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 1mA
Produttore NXP USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.8 nC @ 4.5 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 410 pF @ 20 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 280mW (Tj)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SOT-23 (TO-236AB)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base PMV3
RDSon (max) a Id, Vgs 37mohm a 1,5A, 4,5V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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