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Taiwan Semiconductor Corporation
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Scheda tecnica
Canale P 30 V 4,6 A (Ta) 560mW (Ta), 6,25mW (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
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PMN50EPEX

Codice DigiKey
1727-PMN50EPEXTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-PMN50EPEXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1727-PMN50EPEXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
PMN50EPEX
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 4,6 A (Ta) 560mW (Ta), 6,25mW (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
793 pF @ 15 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
560mW (Ta), 6,25mW (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
6-TSOP
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
45mohm a 4,6A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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