PMCM6501UNEZ Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PMCM6501UNEZ
Codice DigiKey	1727-7626-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-7626-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-7626-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMCM6501UNEZ
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 8,7 A (Ta) 400mW A montaggio superficiale 6-WLCSP (1,48x0,98)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMCM6501UNEZ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1050 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 400mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,7 A (Ta)	Contenitore del fornitore 6-WLCSP (1,48x0,98)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 6-XFBGA, WLCSP
RDSon (max) a Id, Vgs 21mohm a 3A, 4,5V	Codice componente base PMCM6501

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Nastro pre-tagliato (CT)

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,87000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,06140

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