FII50-12E IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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FII50-12E
Codice Digi-Key	FII50-12E-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	FII50-12E
Descrizione	IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
Descrizione dettagliata	IGBT Array NPT Semiponte 1200 V 50 A 200 W Foro passante ISOPLUS i4-PAC™
Riferimento cliente
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Array IGBT
Produttore	IXYS
Serie	-
Contenitore	Tubo
Stato del prodotto	Obsoleto
Tipo di IGBT	NPT
Configurazione	Semiponte
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	50 A
Potenza - Max	200 W
Vce(on) max a Vge, Ic	2,6V a 15V, 30A
Corrente - Interruzione collettore (max)	400 µA
Capacità di ingresso (Cies) a Vce	2 nF @ 25 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	i4-Pac™-5
Contenitore del fornitore	ISOPLUS i4-PAC™
Codice componente base	FII50