
SMP5116TR | |
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Codice DigiKey | 4966-SMP5116TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMP5116TR |
Descrizione | JFET P-Channel 30V Low Noise |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | JFET Canale P 350 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | InterFET | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | Canale P | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0) | 10 mA @ 15 V | |
Tensione - Soglia (VGS off) a Id | 2 V @ 1 nA | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 12pF a 10V | |
Resistenza - RDSon | 110 Ohms | |
Potenza - Max | 350 mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-23-3 | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 1,11417 | € 3 342,51 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,11417 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,35929 |


