Name: IRFR3410TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3410TRPBFTR-ND
Price: 1.9398 EUR
Availability: InStock

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IRFR3410TRPBF
Codice DigiKey	IRFR3410TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFR3410TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFR3410TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR3410TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	39 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 31 A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFR3410TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 56 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1690 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 31 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IRFR3410
RDSon (max) a Id, Vgs 39mohm a 18A, 10V

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Sostituti (14)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPD30N10S3L34ATMA1	Infineon Technologies	23 958	IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND	€ 2,12000	Simile
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IRFR3710ZTRPBF	Infineon Technologies	51 932	IRFR3710ZTRPBFCT-ND	€ 2,45000	Simile
AOD482	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	77 171	785-1224-1-ND	€ 1,54000	Simile
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)