


IQE008N03LM5CGSCATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE008N03LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IQE008N03LM5CGSCATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 39 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V A montaggio superficiale PG-WHTFN-9 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IQE008N03LM5CGSCATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | - | |
RDSon (max) a Id, Vgs | - | |
Vgs(th) max a Id | - | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | - | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | - | |
Temperatura di funzionamento | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 9-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-WHTFN-9 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,62000 | € 2,62 |
| 10 | € 1,69500 | € 16,95 |
| 100 | € 1,17240 | € 117,24 |
| 500 | € 0,97998 | € 489,99 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 6 000 | € 0,80065 | € 4 803,90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,19640 |



