Name: IPG20N06S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: OutOfStock

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IPG20N06S4L11ATMA1
Codice DigiKey	448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPG20N06S4L11ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPG20N06S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPG20N06S4L11ATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 20A 65W A montaggio superficiale PG-TDSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPG20N06S4L11ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	20A
RDSon (max) a Id, Vgs	11,2mohm a 17A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 28µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	53nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4020pF a 25V
Potenza - Max	65W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-4
Codice componente base	IPG20N