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PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R199CPAATMA1

Codice DigiKey
IPB60R199CPAATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB60R199CPAATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 16 A (Tc) 139W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
199mohm a 9,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 1,1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1520 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
139W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IPB60R199
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 1,52767€ 1 527,67
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,52767
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,86376