
IMT65R50M2HXUMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMT65R50M2HXUMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMT65R50M2HXUMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 62mohm a 18,2A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 3,7mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +25V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 790 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 237W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8-2 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 6,50000 | € 6,50 |
| 10 | € 5,02800 | € 50,28 |
| 25 | € 4,65800 | € 116,45 |
| 100 | € 4,25180 | € 425,18 |
| 250 | € 4,05816 | € 1 014,54 |
| 500 | € 3,94142 | € 1 970,71 |
| 1 000 | € 3,84534 | € 3 845,34 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 3,76624 | € 7 532,48 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 7,93000 |


