Name: IAUCN04S7N056DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N056DATMA1TR-ND
Price: 2.257 EUR
Availability: InStock

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IAUCN04S7N056DATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN04S7N056DATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S7N056DATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S7N056DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN04S7N056DATMA1
Descrizione	MOSFET_(20V 40V)
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 60A (Tj) 41W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-61
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN04S7N056DATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 10µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13nC a 10V
Serie OptiMOS™ 7	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 798pF a 20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 41W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60A (Tj)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 5,59mohm a 30A, 10V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-61