Canale N 30 V 6,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
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FDS6630A

Codice DigiKey
2156-FDS6630AND-ND
Produttore
Fairchild Semiconductor
Codice produttore
FDS6630A
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 6,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
FDS6630A Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
38mohm a 6,5A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7 nC @ 5 V
Confezionamento
Sfuso
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
460 pF @ 15 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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