
EM128LXQADG13ES2R | |
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Codice DigiKey | 819-EM128LXQADG13ES2RTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | EM128LXQADG13ES2R |
Descrizione | QUAD SPI |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MRAM (RAMmAgnetoresistiva) Memoria IC 128Mbit 133 MHz 7 ns 8-DFN (6x8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | EM128LXQADG13ES2R Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo di memoria | Non volatile | |
Formato memoria | ||
Tecnologia | MRAM (RAMmAgnetoresistiva) | |
Dimensioni memoria | ||
Organizzazione della memoria | 16 M x 8 | |
Interfaccia di memoria | xSPI - Quad I/O | |
Frequenza di clock | 133 MHz | |
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina | - | |
Tempo di accesso | 7 ns | |
Tensione - Alimentazione | 1,7 ~ 2V | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 105°C (TA) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | ||
Contenitore del fornitore | 8-DFN (6x8) |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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| 4 000 | € 177,74366 | € 710 974,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 177,74366 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 216,84727 |


