MMDT3946FL3-7 Diodes Incorporated | Prodotti a semiconduttore discreti

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MMDT3946FL3-7
Codice DigiKey	MMDT3946FL3-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) MMDT3946FL3-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	MMDT3946FL3-7
Descrizione	TRANS NPN/PNP 40V X2-DFN1310-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array 1 NPN, 1 PNP complementare 40V 200mA 300MHz 370mW A montaggio superficiale X2-DFN1310-6 (tipo B)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	MMDT3946FL3-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	1 NPN, 1 PNP complementare
Corrente - Collettore (Ic) max	200mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	40V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 5mA, 50mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	50nA
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	100 a 10mA, 1V
Potenza - Max	370mW
Frequenza - Transizione	300MHz
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-XFDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	X2-DFN1310-6 (tipo B)
Codice componente base	MMDT3946

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)