Name: DMG4800LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4800LK3-13DITR-ND
Price: 0.915 EUR
Availability: InStock

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DMG4800LK3-13
Codice DigiKey	DMG4800LK3-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG4800LK3-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG4800LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG4800LK3-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10 A (Ta) 1,71W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	17mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.7 nC @ 5 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	798 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,71W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	DMG4800

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)