Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 0.7076 EUR
Availability: InStock

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DMG3415UFY4Q-7
Codice DigiKey	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMG3415UFY4Q-7
Descrizione	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 16 V 2,5 A (Ta) 650mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN2015-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMG3415UFY4Q-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	16 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	39mohm a 4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	282 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	650mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X2-DFN2015-3
Contenitore/involucro	3-XDFN
Codice componente base	DMG3415

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Scorte di fabbrica: 402 000

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)