FII30-12E IXYS | Array IGBT

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FII30-12E
Codice DigiKey	FII30-12E-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	FII30-12E
Descrizione	IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Array NPT Semiponte 1200 V 33 A 150 W Foro passante ISOPLUS i4-PAC™
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Array IGBT	Corrente - Interruzione collettore (max) 200 µA
Produttore IXYS	Capacità di ingresso (Cies) a Vce 1.2 nF @ 25 V
Confezionamento Tubo	Ingresso Standard
Stato componente Obsoleto	Termistore NTC No
Tipo di IGBT NPT	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione Semiponte	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 1200 V	Contenitore/involucro i4-Pac™-5
Corrente - Collettore (Ic) max 33 A	Contenitore del fornitore ISOPLUS i4-PAC™
Potenza - Max 150 W	Codice componente base FII30
Vce(on) max a Vge, Ic 2,9V a 15V, 20A

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