Einzelne FETs, MOSFETs

Resultate : 42 022
Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVO
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,36mOhm bei 100A, 10V0,39mOhm bei 100A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 30A, 7V
Vgs(th) (max.) bei Id
300mV @ 250µA400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (isoliert)Schottky-Diode (Körper)StrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 100°C-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, flache Anschlüsse3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, ohne Anschlüsse
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
42 022Resultate
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von 42 022
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
210 560
Vorrätig
1 : € 0,09000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02169
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
102 403
Vorrätig
1 : € 0,09000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02155
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
80 154
Vorrätig
1 : € 0,09000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02142
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
338 042
Vorrätig
1 : € 0,10000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02551
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
192 668
Vorrätig
17 811 000
Fabrik
1 : € 0,11000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02891
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 133 608
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02628
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm bei 100mA, 2,5V
1V bei 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
406 767
Vorrätig
54 828 000
Fabrik
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02963
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
119 345
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02963
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,3V bei 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 221 552
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02270
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
616 690
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02539
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
409 287
Vorrätig
53 577 000
Fabrik
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03264
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm bei 100mA, 5V
2V bei 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
392 317
Vorrätig
1 068 000
Fabrik
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03193
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm bei 250mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
341 591
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03165
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm bei 240mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
291 610
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03364
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
59 420
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02703
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
24 656
Vorrätig
1 : € 0,12000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02836
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm bei 200mA, 10V
2,1V bei 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1 W (Tc)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
814 269
Vorrätig
1 : € 0,13000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03422
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C bis 150°C (TA)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
496 498
Vorrätig
1 : € 0,13000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03453
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
414 458
Vorrätig
1 : € 0,13000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03518
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
189 849
Vorrätig
1 : € 0,13000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03406
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
102 690
Vorrätig
1 : € 0,13000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03490
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm bei 170mA, 10V
2V bei 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13 644
Vorrätig
1 : € 0,13000
Gurtabschnitt (CT)
8 000 : € 0,03160
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
852 485
Vorrätig
1 : € 0,14000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03784
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 300mA, 10V
1,5V bei 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C bis 150°C (TA)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-323
SC-70, SOT-323
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
768 797
Vorrätig
1 : € 0,14000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03640
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,1V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
752 760
Vorrätig
1 : € 0,14000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03027
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-Kanal
MOSFET (Metalloxid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.