Transistoren - JFETs | DigiKey, ein Distributor elektronischer Komponenten

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Product Status	FET-Typ	Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	Strom, Drain (Id) - max.	Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Widerstand - RDS(On)	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	2.899 Vorrätig	1 : € 0,61000 Gurtabschnitt (CT) 3.000 : € 0,21396 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	10.324 Vorrätig	1 : € 0,70000 Gurtabschnitt (CT) 3.000 : € 0,26787 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.8 V @ 100 µA	6pF bei 5V	-	400 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
CMPF4393 TR PBFREE JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Central Semiconductor Corp	12.970 Vorrätig	1 : € 1,11000 Gurtabschnitt (CT) 3.000 : € 0,46804 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	350 mW	-65°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
J109 JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi	21.233 Vorrätig	1 : € 0,54000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	25 V	-	40 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	-	12 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	4.514 Vorrätig	1 : € 3,14000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1.546 Vorrätig	1 : € 28,73000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF bei 100V	45 mOhms	429 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	12.802 Vorrätig 12.000 Factory	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 2.000 : € 0,12207 Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	9.603 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 2.000 : € 0,12652 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7.040 Vorrätig	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 3.000 : € 0,15211 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7.392 Vorrätig	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 3.000 : € 0,15211 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	15.102 Vorrätig	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 2.000 : € 0,15212 Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
SMMBF4393LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	23.988 Vorrätig	1 : € 0,56000 Gurtabschnitt (CT) 3.000 : € 0,19641 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Automotive, AEC-Q101	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	30 V	30 V	30 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	14pF bei 15V (VGS)	100 Ohms	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	8.624 Vorrätig 124.000 Factory	1 : € 0,56000 Gurtabschnitt (CT) 2.000 : € 0,19742 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	P-Kanal	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	-	125 Ohms	350 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
NSVJ3910SB3T1G IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	13.656 Vorrätig	1 : € 0,63000 Gurtabschnitt (CT) 3.000 : € 0,24394 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Automotive, AEC-Q101	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	600 mV @ 100 µA	6pF bei 5V	-	400 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	30.301 Vorrätig	1 : € 0,42000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	4.331 Vorrätig	1 : € 0,43000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	8.517 Vorrätig	1 : € 0,47000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	9.363 Vorrätig	1 : € 3,08000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF bei 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Central Semiconductor Corp	2.053 Vorrätig	1 : € 5,35000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF bei 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C bis 200°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
UF3N170400B7S JFET 1700V SIC UnitedSiC	2.629 Vorrätig	1 : € 9,29000 Gurtabschnitt (CT) 800 : € 6,05113 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	1.7 V	1.7 V	2.2 µA @ 1.7 V	6.8 A	-	225pF bei 100V	500 mOhms	68 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	3.506 Vorrätig	1 : € 8,57000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF bei 100V	95 mOhms	190 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	4.326 Vorrätig	1 : € 15,63000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF bei 100V	90 mOhms	254 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N065025K3S 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	618 Vorrätig	1 : € 20,07000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	650 V	650 V	-	85 A	-	2360pF bei 100V	33 mOhms	441 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
TF222B-B4-TL-E-ON N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER onsemi	4.248.000 Marktplatz	15.000 : € 0,01961 Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FJZ594JCTF TRANSISTOR Fairchild Semiconductor	1.271.060 Marktplatz	15.000 : € 0,01961 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	20 V	-	150 µA @ 5 V	1 mA	600 mV @ 1 µA	3,5pF bei 5V	-	100 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-623F	SOT-623F

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Transistoren - JFETs

Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.

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