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Gehäuse
Product Status
FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
2.899
Vorrätig
1 : € 0,61000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,21396
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SOT-23-3
CPH3910-TL-E
JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
onsemi
10.324
Vorrätig
1 : € 0,70000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,26787
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA1.8 V @ 100 µA6pF bei 5V-400 mW150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
12.970
Vorrätig
1 : € 1,11000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,46804
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V40 V5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF bei 20V100 Ohms350 mW-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
onsemi
21.233
Vorrätig
1 : € 0,54000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
4.514
Vorrätig
1 : € 3,14000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF bei 20V100 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S
1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
UnitedSiC
1.546
Vorrätig
1 : € 28,73000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal1200 V1200 V-63 A-2145pF bei 100V45 mOhms429 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
12.802
Vorrätig
12.000
Factory
1 : € 0,43000
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : € 0,12207
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
9.603
Vorrätig
1 : € 0,44000
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : € 0,12652
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
7.040
Vorrätig
1 : € 0,43000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,15211
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
7.392
Vorrätig
1 : € 0,43000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,15211
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
onsemi
15.102
Vorrätig
1 : € 0,43000
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : € 0,15212
Band & Box (TB)
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
SMMBF4393LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
onsemi
23.988
Vorrätig
1 : € 0,56000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,19641
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal30 V30 V30 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA14pF bei 15V (VGS)100 Ohms225 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
TO-92-3 Formed Leads
J175-D26Z
JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
onsemi
8.624
Vorrätig
124.000
Factory
1 : € 0,56000
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : € 0,19742
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivP-Kanal30 V-7 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA-125 Ohms350 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
onsemi
13.656
Vorrätig
1 : € 0,63000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,24394
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF bei 5V-400 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
30.301
Vorrätig
1 : € 0,42000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
onsemi
4.331
Vorrätig
1 : € 0,43000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
onsemi
8.517
Vorrätig
1 : € 0,47000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
9.363
Vorrätig
1 : € 3,08000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF bei 20V60 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
Central Semiconductor Corp
2.053
Vorrätig
1 : € 5,35000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF bei 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C bis 200°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
2.629
Vorrätig
1 : € 9,29000
Gurtabschnitt (CT)
800 : € 6,05113
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal1.7 V1.7 V2.2 µA @ 1.7 V6.8 A-225pF bei 100V500 mOhms68 W-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CAD2PAK-7
UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S
650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UnitedSiC
3.506
Vorrätig
1 : € 8,57000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal650 V650 V-32 A-630pF bei 100V95 mOhms190 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UJ3N120070K3S
UJ3N120070K3S
1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
UnitedSiC
4.326
Vorrätig
1 : € 15,63000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal1200 V1200 V-33.5 A-985pF bei 100V90 mOhms254 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UnitedSiC
618
Vorrätig
1 : € 20,07000
Stange
-
Stange
AktivN-Kanal650 V650 V-85 A-2360pF bei 100V33 mOhms441 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E-ON
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
onsemi
4.248.000
Marktplatz
15.000 : € 0,01961
Lose im Beutel
*
Lose im Beutel
Aktiv-------------
1.271.060
Marktplatz
15.000 : € 0,01961
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
ObsoletN-Kanal20 V-150 µA @ 5 V1 mA600 mV @ 1 µA3,5pF bei 5V-100 mW150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-623FSOT-623F
Angezeigt werden
von 939

Transistoren - JFETs


Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.