Transistoren - JFETs

Resultate : 734
Hersteller
Central Semiconductor CorpInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageUnitedSiC
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Serie
-*Automotive, AEC-Q101J201LS5911LSK170ALSK170BLSK170CLSK189LSK389Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375
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Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
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Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichObsolet
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FET-Typ
2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanäle-N-KanalP-Kanal
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Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V60 V650 V1200 V1700 V
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V1700 V
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Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V2.2 µA @ 1700 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V
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Strom, Drain (Id) - max.
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA30 mA50 mA6.8 A26 A32 A
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Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
0,7pF bei 10V0,8pF @ 15V1pF bei 10V1,7pF bei 10V2,2pF bei 15V3pF bei 10V3,1pF bei 2V3,5pF bei 2V3,5pF bei 5V4pF bei 10V4pF bei 15V4,1pF bei 5V4,5pF bei 15V
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Widerstand - RDS(On)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms500 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms
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Leistung - Max.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Betriebstemperatur
-65°C bis 135°C (TJ)-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-65°C bis 200°C (TJ)-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 200°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TA)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 85°C (TA)-20°C bis 80°C (TA)
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Montagetyp
-DurchkontaktierungOberflächenmontage
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Gehäuse / Hülle
3-SMD, flacher Anschluss3-SMD, ohne Anschlüsse3-SSIP3-XFDFN4-SMD, ohne Anschlüsse5-SMD, flache Anschlüsse5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)-EinsatzSC-70, SOT-323SC-72
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Gehäusetyp vom Lieferanten
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-SOIC
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Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
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Herst.-Teilenr.
Preis
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Herst.
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DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Status der Komponente
FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,55000
26.885 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SOT-23 SERIES
CMPF4393 TR PBFREE
JFET N-CH 40V 50MA SOT23
€ 0,96000
8.174 - Sofort
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMPF4393TRPBFREETR-ND
1514-CMPF4393TRPBFREECT-ND
1514-CMPF4393TRPBFREEDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V40 V5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF bei 20V100 Ohms350 mW-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
€ 2,77000
13.213 - Sofort
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF bei 20V60 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,37000
7.125 - Sofort
10.000 - Hersteller
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,38000
18.209 - Sofort
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBFU310LT1G
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
€ 0,41000
4.337 - Sofort
onsemionsemi
1
MMBFU310LT1GOSTR-ND
MMBFU310LT1GOSCT-ND
MMBFU310LT1GOSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V24 mA @ 10 V-2.5 V @ 1 nA5pF bei 10V (VGS)-225 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SOT-23-3
2SK208-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V S-MINI
€ 0,46000
5.348 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-Y(TE85LF)TR-ND
2SK208-Y(TE85LF)CT-ND
2SK208-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-1.2 mA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-Mini
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
€ 0,39000
8.269 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
2SK879-Y(TE85LF)CT-ND
2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
€ 0,39000
4.978 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880GRTE85LF
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,55000
3.053 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880GRTE85LFTR-ND
2SK880GRTE85LFCT-ND
2SK880GRTE85LFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-2.6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323SC-70
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,55000
3.715 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
€ 0,55000
8.862 - Sofort
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF bei 5V-400 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-BL(TE85L,F
JFET N-CH 50V SMV
€ 0,63000
4.370 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-BL(TE85LFTR-ND
2SK2145-BL(TE85LFCT-ND
2SK2145-BL(TE85LFDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)--6 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF bei 10V-300 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,38000
1.949 - Sofort
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,41000
7.123 - Sofort
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
€ 0,42000
4.114 - Sofort
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,44000
38.471 - Sofort
50.000 - Hersteller
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
€ 4,22000
2.000 - Sofort
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF bei 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C bis 200°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
€ 15,68000
362 - Sofort
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Stange
AktivN-Kanal650 V650 V-85 A-2360pF bei 100V33 mOhms441 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UF3N170400B7S
UF3N170400B7S
JFET 1700V SIC
€ 6,19000
2.387 - Sofort
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UF3N170400B7STR-ND
2312-UF3N170400B7SCT-ND
2312-UF3N170400B7SDKR-ND
*
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal1700 V1700 V2.2 µA @ 1700 V6.8 A-225pF bei 100V500 mOhms68 W-55°C bis 175°C (TJ)OberflächenmontageTO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CAD2PAK-7
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,36000
1.581 - Sofort
onsemionsemi
1
J112-D26ZTR-ND
J112-D26ZCT-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,40000
3.582 - Sofort
120.000 - Hersteller
onsemionsemi
1
J112-D74ZCT-ND
J112-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,41000
1.047 - Sofort
36.000 - Hersteller
onsemionsemi
1
J111-D74ZCT-ND
J111-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3
2SK208-O(TE85L,F)
JFET N-CH 50V SC59
€ 0,46000
2.743 - Sofort
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-O(TE85LF)TR-ND
2SK208-O(TE85LF)CT-ND
2SK208-O(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-600 µA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SOT-23-3
2SK11030QL
JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
€ 0,48000
2.822 - Sofort
Panasonic Electronic ComponentsPanasonic Electronic Components
1
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2SK11030QLTR-ND
2SK11030QLCT-ND
2SK11030QLDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletN-Kanal--600 µA @ 10 V20 mA1.5 V @ 10 µA7pF bei 10V300 Ohms150 mW150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1
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