Transistoren - IGBTs - Einzeln | DigiKey, ein Distributor elektronischer Komponenten

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	IGBT-Typ	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Leistung - Max.	Schaltenergie	Eingangstyp	Gate-Ladung	Td (on/off) bei 25°C	Testbedingung	Umkehrerholungszeit (trr)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

IKD15N60RATMA1 IGBT 600V 30A TO252-3 Infineon Technologies	10.000 Vorrätig	1 : € 2,21000 Gurtabschnitt (CT) 2.500 : € 1,14166 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchStop™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Trench Feldstopp	600 V	30 A	45 A	2,1V bei 15V, 15A	250 W	370µJ (Ein), 530µJ (Aus)	Standard	90 nC	16ns/183ns	400V, 15A, 15Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63	PG-TO252-3
IKB20N60TATMA1 IGBT 600V 40A 166W TO263-3 Infineon Technologies	3.765 Vorrätig	1 : € 3,43000 Gurtabschnitt (CT) 1.000 : € 1,97083 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchStop®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	Trench Feldstopp	600 V	40 A	60 A	2,05V bei 15V, 20A	166 W	770µJ	Standard	120 nC	18ns/199ns	400V, 20A, 12Ohm, 15V	41 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB	PG-TO263-3-2
IGW30N60TPXKSA1 IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3 Infineon Technologies	2.722 Vorrätig	1 : € 2,89000 Stange	TrenchStop™	Stange	Nicht für Neukonstruktionen	Trench Feldstopp	600 V	53 A	90 A	1,8V bei 15V, 30A	200 W	710µJ (Ein), 420µJ (Aus)	Standard	130 nC	15ns/179ns	400V, 30A, 10,5Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3
HGTG10N120BND IGBT NPT 1200V 35A TO247-3 onsemi	2.165 Vorrätig	1 : € 4,18000 Stange	-	Stange	Nur verfügbar bis	NPT	1200 V	35 A	80 A	2,7V bei 15V, 10A	298 W	850µJ (Ein), 800µJ (Aus)	Standard	100 nC	23ns/165ns	960V, 10A, 10Ohm, 15V	70 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
FGH80N60FD2TU IGBT 600V 80A 290W TO247 onsemi	1.342 Vorrätig	1 : € 5,33000 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	600 V	80 A	160 A	2,4V bei 15V, 40A	290 W	1mJ (Ein), 520µJ (Aus)	Standard	120 nC	21ns/126ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	61 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
IGW25N120H3FKSA1 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 Infineon Technologies	1.402 Vorrätig	1 : € 6,14000 Stange	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	50 A	100 A	2,4V bei 15V, 25A	326 W	2,65 mJ	Standard	115 nC	27ns/277ns	600V, 25A, 23Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
FGH60N60UFDTU IGBT 600V 120A 298W TO247 onsemi	362 Vorrätig	1 : € 8,10000 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	600 V	120 A	180 A	2,4V bei 15V, 60A	298 W	1,81mJ (Ein), 810µJ (Aus)	Standard	188 nC	23ns/130ns	400V, 60A, 5Ohm, 15V	47 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
IKW75N60TFKSA1 IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 Infineon Technologies	14.543 Vorrätig	1 : € 9,34000 Stange	TrenchStop®	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	600 V	80 A	225 A	2V bei 15V, 75A	428 W	4,5 mJ	Standard	470 nC	33ns/330ns	400V, 75A, 5Ohm, 15V	121 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-1
APT75GN60LDQ3G IGBT 600V 155A 536W TO264 Microchip Technology	2.209 Vorrätig	1 : € 10,52000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	600 V	155 A	225 A	1,85V bei 15V, 75A	536 W	2500µJ (Ein), 2140µJ (Aus)	Standard	485 nC	47ns/385ns	400V, 75A, 1Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264 [L]
APT50GS60BRDQ2G IGBT 600V 93A 415W TO247 Microchip Technology	4.591 Vorrätig	1 : € 13,49000 Stange	Thunderbolt IGBT®	Stange	Aktiv	NPT	600 V	93 A	195 A	3,15V bei 15V, 50A	415 W	755µJ (Aus)	Standard	235 nC	16ns/225ns	400V, 40A, 4,7Ohm, 15V	25 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247 [B]
IKQ120N60TXKSA1 IGBT 600V 160A TO247-3-46 Infineon Technologies	4.542 Vorrätig	1 : € 13,58000 Stange	TrenchStop™	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	600 V	160 A	480 A	2V bei 15V, 120A	833 W	6,2mJ (Ein), 5,9mJ (Aus)	Standard	703 nC	50ns/565ns	400V, 120A, 3Ohm, 15V	241 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	PG-TO247-3-46
IKY75N120CH3XKSA1 IGBT 1200V 150A TO247-4 Infineon Technologies	410 Vorrätig	1 : € 19,25000 Stange	-	Stange	Aktiv	-	1200 V	150 A	300 A	2,35V bei 15V, 75A	938 W	3,4mJ (Ein), 2,9mJ (Aus)	Standard	370 nC	38ns/303ns	600V, 75A, 6Ohm, 15V	292 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-4	PG-TO247-4
IXYK140N90C3 IGBT 900V 310A 1630W TO264 IXYS	642 Vorrätig	1 : € 20,93000 Stange	GenX3™, XPT™	Stange	Aktiv	-	900 V	310 A	840 A	2,7V bei 15V, 140A	1630 W	4,3mJ (Ein), 4mJ (Aus)	Standard	330 nC	40ns/145ns	450V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264 (IXYK)
IXGH32N170 IGBT 1700V 75A 350W TO247AD IXYS	1.808 Vorrätig	1 : € 22,97000 Stange	-	Stange	Aktiv	NPT	1700 V	75 A	200 A	3,3V bei 15V, 32A	350 W	11 mJ (Aus)	Standard	155 nC	45ns/270ns	1020V, 32A, 2,7Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXYX30N170CV1 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB IXYS	1.634 Vorrätig	1 : € 25,10000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	1700 V	108 A	255 A	3,7V bei 15V, 30A	937 W	5,9mJ (Ein), 3,3mJ Aus)	Standard	140 nC	28ns/150ns	850V, 30A, 2,7Ohm, 15V	160 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXBH42N170 IGBT 1700V 80A 360W TO247 IXYS	489 Vorrätig	1 : € 28,17000 Lose im Beutel	BIMOSFET™	Lose im Beutel	Aktiv	-	1700 V	80 A	300 A	2,8V bei 15V, 42A	360 W	-	Standard	188 nC	-	-	1.32 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXXX300N60B3 IGBT 600V 550A 2300W TO247 IXYS	873 Vorrätig	1 : € 33,72000 Stange	GenX3™, XPT™	Stange	Aktiv	PT	600 V	550 A	1140 A	1,6V bei 15V, 100A	2300 W	3,45mJ (Ein), 2,86mJ (Aus)	Standard	460 nC	50ns/190ns	400V, 100A, 1Ohm, 15V	-	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXYT25N250CHV IGBT 2500V 235A TO-268HV IXYS	1.201 Vorrätig	1 : € 35,37000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	2500 V	95 A	235 A	4V bei 15V, 25A	937 W	8,3mJ (Ein), 7,3mJ (Aus)	Standard	147 nC	15ns/230ns	1250V, 25A, 5Ohm, 15V	34 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA	TO-268
IXYX140N120A4 IGBT 140A 1200V PLUS247 IXYS	405 Vorrätig 90 Factory	1 : € 40,82000 Stange	XPT™, GenX4™	Stange	Aktiv	PT	1200 V	480 A	1200 A	1,7V bei 15V, 140A	1500 W	4,9mJ (Ein), 12mJ (Aus)	Standard	420 nC	52ns/590ns	600V, 70A, 1,5Ohm, 15V	47 ns	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXYH30N450HV IGBT 4500V 30A TO-247HV IXYS	1.117 Vorrätig	1 : € 41,55000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	PT	4500 V	60 A	200 A	3,9V bei 15V, 30A	430 W	-	Standard	88 nC	-	960V, 30A, 10Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247HV
IXBX25N250 IGBT 2500V 55A 300W PLUS247 IXYS	677 Vorrätig	1 : € 42,57000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	2500 V	55 A	180 A	3,3V bei 15V, 25A	300 W	-	Standard	103 nC	-	-	1.6 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	PLUS247™-3
IXYT30N450HV IGBT IXYS	507 Vorrätig	1 : € 45,37000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	4500 V	60 A	200 A	3,9V bei 15V, 30A	430 W	-	Standard	88 nC	38ns/168ns	960V, 30A, 10Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA	TO-268HV (IXYT)
IXBK75N170 IGBT 1700V 200A 1040W TO264 IXYS	487 Vorrätig	1 : € 62,98000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	1700 V	200 A	580 A	3,1V bei 15V, 75A	1040 W	-	Standard	350 nC	-	-	1.5 µs	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-264-3, TO-264AA	TO-264AA
IXBH2N250 IGBT 2500V 5A 32W TO247 IXYS	880 Vorrätig	1 : € 66,50000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	2500 V	5 A	13 A	3,5V bei 15V, 2A	32 W	-	Standard	10.6 nC	-	-	920 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247AD
IXYX40N450HV IGBT IXYS	178 Vorrätig	1 : € 67,44000 Stange	XPT™	Stange	Aktiv	-	4500 V	95 A	350 A	3,9V bei 15V, 40A	660 W	-	Standard	170 nC	36ns/110ns	960V, 40A, 2Ohm, 15V	-	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3 Variante	TO-247PLUS-HV

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Transistoren - IGBTs - Einzeln

Einzel-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die für hohe Ströme ausgelegt sind und schnelle Schaltvorgänge ermöglichen. Zu den charakteristischen Merkmalen zählen Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, Kollektorstrom, Impulskollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gateladung.

Transistoren - IGBTs - Einzeln

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