Einzelne FETs, MOSFETs

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Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGaNPower
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C2M™
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 30A, 7V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)600mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V210 pC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 100°C-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
54 975
Vorrätig
1 : € 0,17000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02950
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
411 253
Vorrätig
1 : € 0,18000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03129
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
38 664
Vorrätig
1 : € 0,18000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03245
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V220mA (Tj)4,5V, 10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41 533
Vorrätig
1 : € 0,19000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03257
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
176 599
Vorrätig
1 : € 0,20000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03360
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,3V bei 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 488 831
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03504
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm bei 100mA, 2,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
744 140
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03525
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
518 844
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03648
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,5V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 289 103
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02917
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 161 637
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03790
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q100OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
582 910
Vorrätig
6 000
Fabrik
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03689
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
374 764
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03792
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V130mA (Ta)5V10Ohm bei 100mA, 5V2V bei 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
172 458
Vorrätig
2 350 000
Fabrik
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02838
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
101 727
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02854
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
57 787
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03689
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,6V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SBA120CS-AUR1A1XXX
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
1 159
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03710
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V-1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-350mW (Ta)150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
886 975
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03873
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TA)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
870 167
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03916
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OberflächenmontageUMT3FSC-85
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
919 734
Vorrätig
1 : € 0,25000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04182
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
401 423
Vorrätig
1 : € 0,25000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04164
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
283 853
Vorrätig
1 : € 0,25000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04122
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V170mA (Ta)10V6Ohm bei 170mA, 10V2V bei 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 036 350
Vorrätig
1 : € 0,26000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04390
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C bis 150°C (TA)AutomobiltechnikAEC-Q101OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
891 046
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1 : € 0,26000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04390
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
738 777
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Tc)10V5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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311 367
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AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)--OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Einzelne FETs, MOSFETs


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.