Einzelne FETs, MOSFETs

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Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLC
Serie
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsoletVorläufig
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V0,47mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)600mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5 pF @ 25 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
545 807
Vorrätig
2 382 000
Fabrik
1 : € 0,16000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02774
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V310mA (Ta)5V, 10V3Ohm bei 115mA, 10V2V bei 250µA0.87 nC @ 10 V±20V22 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
48 272
Vorrätig
590 000
Fabrik
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02831
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V380mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
24 238
Vorrätig
1 : € 0,16000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,02847
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
363 822
Vorrätig
130 000
Fabrik
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02878
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 419 431
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,02910
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1 403 341
Vorrätig
1 : € 0,18000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03121
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
37 058
Vorrätig
1 : € 0,19000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03359
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V310mA (Ta)4,5V, 10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-280mW (Tj)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSC-70-3 (SOT323)SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
827 945
Vorrätig
1 : € 0,21000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03515
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V180mA (Ta)10V7,5Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
188 117
Vorrätig
1 : € 0,29000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,03640
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V250mA (Ta)1,2V, 4,5V1,1Ohm bei 150mA, 4,5V1V bei 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
107 246
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03680
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5Ohm bei 240mA, 10V2,6V bei 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
181 608
Vorrätig
570 000
Fabrik
1 : € 0,29000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,03732
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V310mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
533 992
Vorrätig
279 000
Fabrik
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03680
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8Ohm bei 250mA, 10V1,5V bei 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
987 981
Vorrätig
1 : € 0,23000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03865
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C bis 150°C (TA)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 325 392
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03937
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V360mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,4V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
412 178
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,03783
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V130mA (Ta)5V10Ohm bei 100mA, 5V2V bei 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 040 228
Vorrätig
1 : € 0,25000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04173
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V350mA (Ta)10V1,6Ohm bei 500mA, 10V2,1V bei 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
T2N7002AK,LM
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
522 337
Vorrätig
1 : € 0,14000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04242
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V200mA (Ta)4,5V, 10V3,9Ohm bei 100mA, 10V2,1V bei 250µA0.35 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-320mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
885 748
Vorrätig
1 : € 0,26000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04377
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V300mA (Tc)10V5Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA-±30V50 pF @ 10 V-830mW (Ta)-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
1 198 755
Vorrätig
1 : € 0,26000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04379
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V320mA (Ta)10V1,6Ohm bei 300mA, 10V1,5V bei 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C bis 150°C (TA)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
10 524
Vorrätig
1 : € 0,36000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,04681
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V4,2 A (Ta)1,8V, 4,5V52mOhm bei 4,2A, 4,5V900mV bei 250µA10.2 nC @ 4.5 V±8V808 pF @ 15 V-1,4W (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Diodes Incorporated
188 646
Vorrätig
9 810 000
Fabrik
1 : € 0,32000
Gurtabschnitt (CT)
10 000 : € 0,04822
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V400mA (Ta)1,8V, 5V2Ohm bei 50mA, 5V1V bei 250µA0.4 nC @ 4.5 V±20V28.5 pF @ 30 V-440mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
211 954
Vorrätig
1 : € 0,29000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04852
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenP-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V130mA (Ta)10V10Ohm bei 130mA, 10V2V bei 1mA-±20V45 pF @ 25 V-250mW (Tc)-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
1 022 879
Vorrätig
150 000
Fabrik
1 : € 0,28000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04667
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)10V3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA-±20V50 pF @ 10 V-200mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-323SC-70, SOT-323
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
649 886
Vorrätig
1 : € 0,29000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04921
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-200mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
343 289
Vorrätig
1 : € 0,29000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 0,04921
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V150mA (Ta)10V6Ohm bei 120mA, 10V2,8V bei 1mA-±20V40 pF @ 25 V-250mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.