FET- und MOSFET-Arrays

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	Technologie	Konfiguration	FET-Merkmal	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	237 262 Vorrätig	1 : € 0,19000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,03934 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	300mA	1,5Ohm bei 100mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	40pF bei 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	164 750 Vorrätig	1 : € 0,29000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06096 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	60V	230mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	310mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	58 542 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,06051 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V	1V bei 1mA	1nC bei 10V	55pF bei 10V, 100pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	48 619 Vorrätig	1 : € 0,30000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06110 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA	3Ohm bei 500mA, 10V	2,5V bei 250µA	0,6nC bei 10V	20pF bei 25V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	147 393 Vorrätig	1 : € 0,31000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06475 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2Ohm bei 100mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	12pF bei 10V	300mW	150°C	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	210 623 Vorrätig	1 : € 0,35000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07450 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	300mA (Ta)	1,6Ohm bei 500mA, 10V	2,1V bei 250µA	0,6nC bei 4,5V	50pF bei 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	25 966 Vorrätig 93 000 Fabrik	1 : € 0,35000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07659 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	1,07A, 845mA	450mOhm bei 600mA, 4,5V	1V bei 250µA	0,74nC bei 4,5V	60,67pF bei 10V	330mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	49 806 Vorrätig	1 : € 0,36000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,07746 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	OptiMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	880mA	400mOhm bei 880mA, 2,5V	750mV bei 1,6µA	0,26nC bei 2,5V	78pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	732 073 Vorrätig	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,06674 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 1,2V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	1V bei 1mA	-	25pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	95 597 Vorrätig 1 557 000 Fabrik	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08321 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mOhm bei 3,1A, 10V	2,3V bei 250µA	13nC bei 10V	400pF bei 15V	840mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	155 621 Vorrätig	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 8 000 : € 0,07389 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	EMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	64 365 Vorrätig	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08490 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gatter, 0,9V	50V	200mA	2,2Ohm bei 200mA, 4,5V	800mV bei 1mA	-	26pF bei 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	63 305 Vorrätig 1 014 000 Fabrik	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,08421 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	3,8 A, 2,5 A	55mOhm bei 3,4A, 10V	1,5V bei 250µA	12,3nC bei 10V	422pF bei 15V	850mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	27 811 Vorrätig	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,09121 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gatter, 1,5V	20V	800mA (Ta), 720mA (Ta)	240mOhm bei 500mA, 4,5V, 300mOhm bei 400mA, 4,5V	1V bei 1mA	2nC bei 4,5V, 1,76nC bei 4,5V	90pF bei 10V, 110pF bei 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	ES6
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	404 050 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,09237 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	20V	540mA	550mOhm bei 540mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	150pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	80 073 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09685 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	60V	115mA	7,5Ohm bei 50mA, 5V	2V bei 250µA	-	50pF bei 25V	200mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	37 566 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09669 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	630mA	375mOhm bei 630mA, 4,5V	1,5V bei 250µA	3nC bei 4,5V	46pF bei 20V	270mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	27 660 Vorrätig	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09781 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	30V	400mA, 200mA	700mOhm bei 200mA, 10V	1,8V bei 100µA	-	20pF bei 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	49 620 Vorrätig	1 : € 0,46000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,09748 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 P-Kanal (zweifach)	-	20V	430mA	900mOhm bei 430mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	175pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	75 064 Vorrätig	1 : € 0,47000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,09857 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchMOS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	Logikpegel-Gate	20V	800mA	380mOhm bei 500mA, 4,5V	950mV bei 250µA	0,68nC bei 4,5V	83pF bei 10V	500mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	38 865 Vorrätig	1 : € 0,48000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10651 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	30V	250mA	1,5Ohm bei 10mA, 4V	1,5V bei 100µA	1,3nC bei 5V	33pF bei 5V	272mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMC3071LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Diodes Incorporated	17 657 Vorrätig	1 : € 0,49000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10929 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal komplementär	-	30V	4,6A (Ta), 3,3A (Ta)	50mOhm bei 3,5A, 10V, 95mOhm bei 3,8A, 10V	2,5V bei 250µA	4,5nC bei 10V, 6,5nC bei 10V	190pF bei 15V, 254pF bei 15V	700mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6	TSOT-26
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	58 486 Vorrätig	1 : € 0,51000 Gurtabschnitt (CT) 4 000 : € 0,11012 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	N- und P-Kanal	Logikpegel-Gate	20V	540mA, 430mA	550mOhm bei 540mA, 4,5V	1V bei 250µA	2,5nC bei 4,5V	150pF bei 16V	250mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	SOT-563
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN Micro Commercial Co	103 963 Vorrätig	1 : € 0,52000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,11656 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanäle	-	30V	5A	32mOhm bei 5,8A, 10V	1,5V bei 250µA	-	1155pF bei 15V	1,4W	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-VDFN mit freiliegendem Pad	DFN2020-6L
PMDXB550UNEZ MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN Nexperia USA Inc.	31 763 Vorrätig	1 : € 0,52000 Gurtabschnitt (CT) 5 000 : € 0,10881 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	MOSFET (Metalloxid)	2 N-Kanal (zweifach)	-	30V	590mA	670mOhm bei 590mA, 4,5V	950mV bei 250µA	1,05nC bei 4,5V	30,3pF bei 15V	285mW	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-XFDFN mit freiliegendem Pad	DFN1010B-6

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Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.

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