Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Resultate : 4.285
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCGeneral ElectricGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLinear Integrated Systems, Inc.
Aufheben
Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
Aufheben
Verpackung
-BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablett
Aufheben
Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Aufheben
FET-Typ
2 N- und 2 P-Kanal (H-Brücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N- und 2 P-Kanal2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanäle2 N-kanal (dual), schottky2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)2 P-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar
Aufheben
FET-Merkmal
-GaNFET (Galliumnitrid)Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
Aufheben
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
Aufheben
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA115mA, 130mA
Aufheben
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,8mOhm bei 1200A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V1mOhm bei 38A, 10V1,25mOhm bei 35A, 10V1,3mOhm bei 100A, 10V1,5mOhm bei 33A, 10V1,6mOhm bei 10A, 4,5V1,6mOhm bei 40A, 10V1,66mOhm bei 80A, 10V1,73mOhm bei 760A, 15V1,8mOhm bei 5A, 4,5V1,9mOhm bei 8A, 4,5V
Aufheben
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)420mV bei 1µA450mV bei 100µA (Min)
Aufheben
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,1pC bei 4,5V, 0,7pC bei 4,5V0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,3nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V0,32nC bei 4,5V0,34nC bei 4,5V0,35nC bei 4,5V0,35nC bei 5V
Aufheben
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V9pF bei 15V9,1pF bei 3V
Aufheben
Leistung - Max.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Aufheben
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (Tc)-40°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)
Aufheben
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Aufheben
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSP5-LGA
Aufheben
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-Picostar (1,31x1,31)4-QFN (2x2)4-WLCSP (1,26x1,26)
Aufheben
Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
Resultate pro Seite
25
Seite 1/172
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Preis
Lagerbestand
Lieferant
Herst.
Mindestmenge
DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Status der Komponente
FET-Typ
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
€ 1,60000
38.000 - Sofort
EPCEPC
1
917-1110-2-ND
917-1110-1-ND
917-1110-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)100V1,7A70mOhm bei 2A, 5V2,5V bei 600µA0,73nC bei 5V75pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
€ 2,09000
21.385 - Sofort
EPCEPC
1
917-1152-2-ND
917-1152-1-ND
917-1152-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-PinGaNFET (Galliumnitrid)120V3,4A60mOhm bei 4A, 5V2,5V bei 700µA0,8nC bei 5V80pF bei 60V--40°C bis 150°C (TJ)-EinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
€ 7,06000
1.848 - Sofort
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)60V23A4,4mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 7mA6,8nC bei 5V830pF bei 30V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
€ 626,12000
28 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
BSM300D12P2E001-ND
-
Tablett
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)Siliziumkarbid (SiC)1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V bei 68mA-35000pF bei 10V1875W-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
€ 0,41000
41.725 - Sofort
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-3126-2-ND
1727-3126-1-ND
1727-3126-6-ND
TrenchMOS™
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V860mA350mOhm bei 200mA, 4,5V1,5V bei 250µA0,72nC bei 4,5V34pF bei 20V410mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
€ 0,41000
3.710 - Sofort
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1333-2-ND
1727-1333-1-ND
1727-1333-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V800mA380mOhm bei 500mA, 4,5V950mV bei 250µA0,68nC bei 4,5V83pF bei 10V500mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-666
SOT-963
DMC2990UDJ-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT963
€ 0,40000
221.040 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC2990UDJ-7DITR-ND
DMC2990UDJ-7DICT-ND
DMC2990UDJ-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate20V450mA, 310mA990mOhm bei 100mA, 4,5V1V bei 250µA0,5nC bei 4,5V27,6pF bei 15V350mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
€ 0,35000
60.211 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMP3085LSD-13DITR-ND
DMP3085LSD-13DICT-ND
DMP3085LSD-13DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V3,9A70mOhm bei 5,3A, 10V3V bei 250µA11nC bei 10V563pF bei 25V1,1W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
SOT-363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363
€ 0,41000
3.082 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
BSS138DWQ-7DITR-ND
BSS138DWQ-7DICT-ND
BSS138DWQ-7DIDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard50V200mA3,5Ohm bei 220mA, 10V1,5V bei 250µA-50pF bei 10V200mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
€ 0,41000
23.263 - Sofort
760.000 - Hersteller
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate30V220mA, 200mA1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 250µA0,38nC bei 4,5V22,6pF bei 15V350mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
U-DFN2020-6
DMN1029UFDB-7
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
€ 0,44000
50.364 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN1029UFDB-7DITR-ND
DMN1029UFDB-7DICT-ND
DMN1029UFDB-7DIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard12V5,6A29mOhm bei 5A, 4,5V1V bei 250µA19,6nC bei 8V914pF bei 6V1,4W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-UDFN mit freiliegendem PadU-DFN2020-6 (Typ B)
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
€ 0,42000
87.845 - Sofort
onsemionsemi
1
2N7002VTR-ND
2N7002VCT-ND
2N7002VDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V280mA7,5Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 250µA-50pF bei 25V250mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563F
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
€ 0,49000
88.139 - Sofort
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926UDMDITR-ND
DMG9926UDMDICT-ND
DMG9926UDMDIDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainLogikpegel-Gate20V4,2A28mOhm bei 8,2A, 4,5V900mV bei 250µA8,3nC bei 4,5V856pF bei 10V980mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
SOT-963_527AD
NTUD3170NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963
€ 0,52000
0 - Sofort
onsemionsemi
1
NTUD3170NZT5GOSTR-ND
NTUD3170NZT5GOSCT-ND
NTUD3170NZT5GOSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V220mA1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 250µA-12,5pF bei 15V125mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
€ 0,56000
15.779 - Sofort
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1900DL-T1-E3TR-ND
SI1900DL-T1-E3CT-ND
SI1900DL-T1-E3DKR-ND
TrenchFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V590mA480mOhm bei 590mA, 10V3V bei 250µA1,4nC bei 10V-270mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6M2TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
€ 0,63000
12.858 - Sofort
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
US6M2TR-ND
US6M2CT-ND
US6M2DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalStandard30V, 20V1,5A, 1A240mOhm bei 1,5A, 4,5V1,5V bei 1mA2,2nC bei 4,5V80pF bei 10V1W150°C (TJ)Oberflächenmontage6-SMD, flache AnschlüsseTUMT6
8-SOIC
AOSD21311C
MOSFET 2P-CH 8-SOIC
€ 0,63000
51.080 - Sofort
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-AOSD21311CTR-ND
785-AOSD21311CCT-ND
785-AOSD21311CDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Standard30V5 A (Ta)42mOhm bei 5A, 10V2,2V bei 250µA23nC bei 10V720pF bei 15V1,7W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
SOT-963
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
€ 0,59000
29.759 - Sofort
onsemionsemi
1
NTUD3174NZT5GOSTR-ND
NTUD3174NZT5GOSCT-ND
NTUD3174NZT5GOSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard20V220mA (Ta)1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 100µA-12,5pF bei 15V125mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
8-SOIC
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
€ 0,65000
55.558 - Sofort
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1063-2-ND
785-1063-1-ND
785-1063-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate40V6A30mOhm bei 6A, 10V3V bei 250µA10,8nC bei 10V650pF bei 20V2W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
FDMAxxxxxZ
FDMA3023PZ
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
€ 0,64000
5.230 - Sofort
onsemionsemi
1
FDMA3023PZTR-ND
FDMA3023PZCT-ND
FDMA3023PZDKR-ND
PowerTrench®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V2,9A90mOhm bei 2,9A, 4,5V1V bei 250µA11nC bei 4,5V530pF bei 15V700mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-VDFN mit freiliegendem Pad6-MicroFET (2x2)
8-SOIC
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
€ 0,71000
248.920 - Sofort
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1317-2-ND
785-1317-1-ND
785-1317-6-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate40V8A19mOhm bei 8A, 10V2,4V bei 250µA12nC bei 10V415pF bei 20V2W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
€ 0,68000
68.423 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate20V2,4 A, 1,7 A140mOhm bei 1,7A, 4,5V700mV bei 250µA8nC bei 4,5V260pF bei 15V1,25W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)Micro8™
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
€ 0,76000
78.382 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7509TRPBFTR-ND
IRF7509TRPBFCT-ND
IRF7509TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate30V2,7 A, 2 A110mOhm bei 1,7A, 10V1V bei 250µA12nC bei 10V210pF bei 25V1,25W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)Micro8™
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
€ 0,88000
83.778 - Sofort
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7530TRPBFTR-ND
IRF7530TRPBFCT-ND
IRF7530TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard20V5,4A30mOhm bei 5,4A, 4,5V1,2V bei 250µA26nC bei 4,5V1310pF bei 15V1,3W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00mm Breite)Micro8™
MFG_6-VDFN-Exposed-Pad
TSM250N02DCQ RFG
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
€ 0,93000
48.106 - Sofort
Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation
1
TSM250N02DCQRFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGCT-ND
TSM250N02DCQRFGDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard20V5,8 A (Tc)25mOhm bei 4A, 4,5V800mV bei 250µA7,7nC bei 4,5V775pF bei 10V620mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-VDFN mit freiliegendem Pad6-TDFN (2x2)
Resultate pro Seite
25
Seite 1/172