Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Resultate : 5.474
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild SemiconductorGeneral Electric
Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Verpackung
-BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablett
Product Status
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
FET-Typ
2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N- und 2 P-Kanal2 N- und 2 P-Kanäle (Halbbrücke)2 N-Kanal (Dual), P-Kanal2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin2 N-Kanäle2 N-kanal (dual), schottky
FET-Merkmal
-GaNFET (Galliumnitrid)Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 10V-BetriebLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA30mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,8mOhm bei 1200A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V1mOhm bei 38A, 10V1,25mOhm bei 35A, 10V1,3mOhm bei 100A, 10V1,37mOhm bei 15A, 10V1,5mOhm bei 33A, 10V1,6mOhm bei 10A, 4,5V1,6mOhm bei 40A, 10V1,66mOhm bei 80A, 10V1,73mOhm bei 760A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V, 0,28nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V0,32nC bei 4,5V0,34nC bei 4,5V0,35nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V5pF bei 3V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V
Leistung - Max.
10mW (Tc)10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C (Tc)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 175°C-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (Tc)
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-BGA (1x1)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)4-EFLIP (1,62x1,62)4-EFLIP-LGA (1,11x1,11)4-EFLIP-LGA (1,4x1,4)4-EFLIP-LGA (1,62x1,62)4-FlipChip
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
5.474Resultate
Angezeigt werden
von 5.474
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Gehäuse
Product Status
FET-Typ
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
eGaN Series
EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
EPC
23.064
Vorrätig
1 : € 1,78000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,82354
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)100V1,7A70mOhm bei 2A, 5V2,5V bei 600µA0,73nC bei 5V75pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2110
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
EPC
15.165
Vorrätig
1 : € 2,32000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 1,07354
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-PinGaNFET (Galliumnitrid)120V3,4A60mOhm bei 4A, 5V2,5V bei 700µA0,8nC bei 5V80pF bei 60V--40°C bis 150°C (TJ)-EinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2104
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
1.578
Vorrätig
1 : € 8,98000
Gurtabschnitt (CT)
500 : € 5,85054
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)100V23A6,3mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 5,5mA7nC bei 5V800pF bei 50V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
EPC
1.420
Vorrätig
1 : € 8,98000
Gurtabschnitt (CT)
500 : € 5,85054
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)GaNFET (Galliumnitrid)60V23A4,4mOhm bei 20A, 5V2,5V bei 7mA6,8nC bei 5V830pF bei 30V--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Rohm Semiconductor
36
Vorrätig
1 : € 696,53000
Tablett
-
Tablett
Aktiv2 N-Kanal (Halbbrücke)Siliziumkarbid (SiC)1200V (1,2kV)300 A (Tc)-4V bei 68mA-35000pF bei 10V1875W-40°C bis 150°C (TJ)ChassisbefestigungModulModul
SC-88
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
onsemi
13.316
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,06449
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate60V295mA1,6Ohm bei 500mA, 10V2,5V bei 250µA0,9nC bei 4,5V26pF bei 20V250mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SSM6N37FU,LF
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Toshiba Semiconductor and Storage
105.194
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,07385
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 1,5V20V250mA (Ta)2,2Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 1mA-12pF bei 10V300mW150°COberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
72.000
Vorrätig
1 : € 0,46000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,08628
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 0,9V50V200mA2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-26pF bei 10V120mW150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SC-88
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
onsemi
0
Vorrätig
1 : € 0,43000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,09570
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Lose im Beutel
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V630mA375mOhm bei 630mA, 4,5V1,5V bei 250µA3nC bei 4,5V46pF bei 20V270mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-23-6
SIL2308-TP
N/P-CHANNEL MOSFETSOT23-6L
Micro Commercial Co
33.713
Vorrätig
1 : € 0,37000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,10677
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalStandard20V5A, 4A38mOhm bei 4,5A, 4,5V, 90mOhm bei 500mA, 4,5V1V bei 250µA11nC bei 4,5V, 12nC bei 2,5V800pF, 405pF bei 8V, 10V--55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-23-6L
8-SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
220.590
Vorrätig
1 : € 0,39000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,11210
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V3,9A70mOhm bei 5,3A, 10V3V bei 250µA11nC bei 10V563pF bei 25V1,1W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
431.794
Vorrätig
1 : € 0,42000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,12059
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V880mA400mOhm bei 880mA, 2,5V750mV bei 1,6µA0,26nC bei 2,5V78pF bei 10V500mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
6-UDFN
SSM6N58NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Toshiba Semiconductor and Storage
17.258
Vorrätig
1 : € 0,47000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,13524
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gatter, 1,8V30V4A84mOhm bei 2A, 4,5V1V bei 1mA1,8nC bei 4,5V129pF bei 15V1W150°C (TJ)Oberflächenmontage6-WDFN mit freiliegendem Pad6-UDFN (2x2)
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
Diodes Incorporated
141.652
Vorrätig
610.000
Factory
1 : € 0,45000
Gurtabschnitt (CT)
10.000 : € 0,13897
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate30V220mA, 200mA1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 250µA0,38nC bei 4,5V22,6pF bei 15V350mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
SOT-563
DMP2004VK-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
Diodes Incorporated
76.146
Vorrätig
1 : € 0,49000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,13915
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V530mA900mOhm bei 430mA, 4,5V1V bei 250µA-175pF bei 16V400mW-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 26
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Diodes Incorporated
25.058
Vorrätig
126.000
Factory
1 : € 0,45000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,15797
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V540mA550mOhm bei 540mA, 4,5V1V bei 250µA-150pF bei 16V225mW-65°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
266.787
Vorrätig
1 : € 0,45000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,16047
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-Kanal, gemeinsamer Drain-AnschlussLogikpegel-Gate30V6 A, 5,5 A30mOhm bei 6A, 10V2,4V bei 250µA6,3nC bei 10V310pF bei 15V2W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
SOT 26
DMG6968UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
Diodes Incorporated
81.828
Vorrätig
1 : € 0,50000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,17552
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainLogikpegel-Gate20V6,5A24mOhm bei 6,5A, 4,5V900mV bei 250µA8,8nC bei 4,5V143pF bei 10V850mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
6-TSOP
AO6604
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
20.780
Vorrätig
1 : € 0,54000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,19056
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-Kanal komplementärLogikpegel-Gatter, 4,5V20V3,4 A, 2,5 A65mOhm bei 3,4A, 4,5V1V bei 250µA3,8nC bei 4,5V320pF bei 10V1,1W-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSC-74, SOT-4576-TSOP
SOT-563
FDY1002PZ
MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
onsemi
41.736
Vorrätig
1 : € 0,54000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,19173
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V830mA500mOhm bei 830mA, 4,5V1V bei 250µA3,1nC bei 4,5V135pF bei 10V446mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-563, SOT-666SOT-563F
SOT 26
DMG9926UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
Diodes Incorporated
48.137
Vorrätig
1 : € 0,55000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,19307
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainLogikpegel-Gate20V4,2A28mOhm bei 8,2A, 4,5V900mV bei 250µA8,3nC bei 4,5V856pF bei 10V980mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-23-6SOT-26
U-DFN2020-6
DMN3032LFDBQ-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
Diodes Incorporated
15.031
Vorrätig
1 : € 0,59000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,20694
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V6,2A30mOhm bei 5,8A, 10V2V bei 250µA10,6nC bei 10V500pF bei 15V1W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage6-UDFN mit freiliegendem PadU-DFN2020-6 (Typ B)
8-SO
DMC3021LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Diodes Incorporated
144.604
Vorrätig
1 : € 0,60000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,21062
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate30V8,5 A, 7 A21mOhm bei 7A, 10V2,1V bei 250µA16,1nC bei 10V767pF bei 10V2,5W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
SOT-963_527AD
NTUD3170NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963
onsemi
2.927
Vorrätig
1 : € 0,65000
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : € 0,21314
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V220mA1,5Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 250µA-12,5pF bei 15V125mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSOT-963SOT-963
8-SO
DMN3024LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Diodes Incorporated
63.916
Vorrätig
1 : € 0,70000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,24572
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V6,8A24mOhm bei 7A, 10V3V bei 250µA12,9nC bei 10V608pF bei 15V1,8W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SO
Angezeigt werden
von 5.474

Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.