Angezeigt werden
von 5
Vergleichen
Herst.-Teilenr.
Verfügbare Menge
Preis
Serie
Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SC70-5
JFE150DCKR
JFET N-CH 40V 50MA SC70-5
Texas Instruments
7 339
Vorrätig
9 000
Factory
1 : € 2,62000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 1,19644
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V40 V24 mA @ 10 V50 mA1.5 V @ 0.1 µA24pF bei 5V-40°C bis 125°C (TA)Oberflächenmontage5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SC-70-5
8-SOIC
JFE2140DR
JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
Texas Instruments
1 321
Vorrätig
10 000
Factory
1 : € 4,14000
Gurtabschnitt (CT)
2 500 : € 2,07859
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)40 V40 V-50 mA1.5 V @ 0.1 µA13pF bei 5V-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
SC70-5
JFE150DCKT
JFET N-CH 40V 50MA SC70-5
Texas Instruments
82
Vorrätig
10 000
Factory
1 : € 2,82000
Gurtabschnitt (CT)
250 : € 1,96744
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V40 V24 mA @ 10 V50 mA1.5 V @ 0.1 µA24pF bei 5V-40°C bis 125°C (TJ)Oberflächenmontage5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SC-70-5
0
Vorrätig
10 001
Factory
Aktiv
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V40 V24 mA @ 10 V50 mA1.5 V @ 100 nA24pF bei 5V-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSC-74A, SOT-753SOT-23-5
0
Vorrätig
10 001
Factory
Aktiv
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V40 V24 mA @ 10 V50 mA1.5 V @ 100 nA24pF bei 5V-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageSC-74A, SOT-753SOT-23-5
Angezeigt werden
von 5

JFETs


Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.