Transistoren - IGBTs - Einzeln

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Product Status

AktivNur verfügbar bis

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)

650 V1200 V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30 A50 A80 A100 A

Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)

60 A100 A120 A160 A180 A200 A

Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic

2V bei 15V, 15A2,3V bei 15V, 40A2,4V bei 15V, 25A2,4V bei 15V, 40A2,4V bei 15V, 50A2,4V bei 15V, 60A

Leistung - Max.

48 W230 W341 W348 W357 W375 W428 W

Schaltenergie

270µJ (Ein), 86µJ (Aus)500µJ (Ein), 400µJ (Aus)770µJ (Ein), 550µJ (Aus)920µJ (Ein), 530µJ (Aus)1,15mJ (Ein), 350µJ (Aus)1,44mJ (Ein), 550µJ (Aus)1,96mJ (Ein), 540µJ (Aus)

Gate-Ladung

60 nC61 nC95 nC204 nC219 nC287 nC341 nC

Td (on/off) bei 25°C

6ns/55ns19ns/128ns42ns/142ns58ns/245ns58ns/328ns65ns/308ns73ns/269ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V400V, 40A, 10Ohm, 15V400V, 40A, 7,9Ohm, 15V400V, 50A, 7,9Ohm, 15V400V, 60A, 7Ohm, 15V600V, 25A, 23Ohm, 15V600V, 40A, 10Ohm, 15V

Umkehrerholungszeit (trr)

60 ns80 ns100 ns145 ns150 ns205 ns

Betriebstemperatur

-55°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 175°C (TJ)

Gehäuse / Hülle

TO-220-3 Full Pack, isolierte FahneTO-247-3

Gehäusetyp vom Lieferanten

ITO-220ABTO-247

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Product Status	IGBT-Typ	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Leistung - Max.	Schaltenergie	Eingangstyp	Gate-Ladung	Td (on/off) bei 25°C	Testbedingung	Umkehrerholungszeit (trr)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

DGTD65T15H2TF IGBT600V-XITO-220AB Diodes Incorporated	1.000 Vorrätig	1 : € 1,98000 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	650 V	30 A	60 A	2V bei 15V, 15A	48 W	270µJ (Ein), 86µJ (Aus)	Standard	61 nC	19ns/128ns	400V, 15A, 10Ohm, 15V	150 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3 Full Pack, isolierte Fahne	ITO-220AB
DGTD65T40S2PT IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K Diodes Incorporated	0 Vorrätig	450 : € 2,26420 Stange	-	Stange	Nur verfügbar bis	Feldblende	650 V	80 A	120 A	2,3V bei 15V, 40A	230 W	500µJ (Ein), 400µJ (Aus)	Standard	60 nC	6ns/55ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	60 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247
DGTD65T40S1PT IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K Diodes Incorporated	0 Vorrätig	450 : € 3,12676 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	650 V	80 A	160 A	2,4V bei 15V, 40A	341 W	1,15mJ (Ein), 350µJ (Aus)	Standard	219 nC	58ns/245ns	400V, 40A, 7,9Ohm, 15V	145 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247
DGTD65T60S2PT IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K Diodes Incorporated	0 Vorrätig	450 : € 3,28322 Stange	-	Stange	Nur verfügbar bis	Feldblende	650 V	100 A	180 A	2,4V bei 15V, 60A	428 W	920µJ (Ein), 530µJ (Aus)	Standard	95 nC	42ns/142ns	400V, 60A, 7Ohm, 15V	205 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247
DGTD65T50S1PT IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K Diodes Incorporated	0 Vorrätig	450 : € 3,84924 Stange	-	Stange	Nur verfügbar bis	Feldblende	650 V	100 A	200 A	2,4V bei 15V, 50A	375 W	770µJ (Ein), 550µJ (Aus)	Standard	287 nC	58ns/328ns	400V, 50A, 7,9Ohm, 15V	80 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247
DGTD120T25S1PT IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K Diodes Incorporated	0 Vorrätig	450 : € 5,22736 Stange	-	Stange	Aktiv	Feldblende	1200 V	50 A	100 A	2,4V bei 15V, 25A	348 W	1,44mJ (Ein), 550µJ (Aus)	Standard	204 nC	73ns/269ns	600V, 25A, 23Ohm, 15V	100 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247
DGTD120T40S1PT IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K Diodes Incorporated	0 Vorrätig	450 : € 6,56464 Stange	-	Stange	Nur verfügbar bis	Feldblende	1200 V	80 A	160 A	2,4V bei 15V, 40A	357 W	1,96mJ (Ein), 540µJ (Aus)	Standard	341 nC	65ns/308ns	600V, 40A, 10Ohm, 15V	100 ns	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247

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Transistoren - IGBTs - Einzeln

Einzel-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die für hohe Ströme ausgelegt sind und schnelle Schaltvorgänge ermöglichen. Zu den charakteristischen Merkmalen zählen Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, Kollektorstrom, Impulskollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gateladung.