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Preis
Serie
Gehäuse
Product Status
IGBT-Typ
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
Leistung - Max.
Schaltenergie
Eingangstyp
Gate-Ladung
Td (on/off) bei 25°C
Testbedingung
Umkehrerholungszeit (trr)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
1.000
Vorrätig
1 : € 1,98000
Stange
-
Stange
AktivFeldblende650 V30 A60 A2V bei 15V, 15A48 W270µJ (Ein), 86µJ (Aus)Standard61 nC19ns/128ns400V, 15A, 10Ohm, 15V150 ns-40°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-220-3 Full Pack, isolierte FahneITO-220AB
TO-247-3
DGTD65T40S2PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
450 : € 2,26420
Stange
-
Stange
Nur verfügbar bisFeldblende650 V80 A120 A2,3V bei 15V, 40A230 W500µJ (Ein), 400µJ (Aus)Standard60 nC6ns/55ns400V, 40A, 10Ohm, 15V60 ns-40°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD65T40S1PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
450 : € 3,12676
Stange
-
Stange
AktivFeldblende650 V80 A160 A2,4V bei 15V, 40A341 W1,15mJ (Ein), 350µJ (Aus)Standard219 nC58ns/245ns400V, 40A, 7,9Ohm, 15V145 ns-40°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD65T60S2PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
450 : € 3,28322
Stange
-
Stange
Nur verfügbar bisFeldblende650 V100 A180 A2,4V bei 15V, 60A428 W920µJ (Ein), 530µJ (Aus)Standard95 nC42ns/142ns400V, 60A, 7Ohm, 15V205 ns-40°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD65T50S1PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
450 : € 3,84924
Stange
-
Stange
Nur verfügbar bisFeldblende650 V100 A200 A2,4V bei 15V, 50A375 W770µJ (Ein), 550µJ (Aus)Standard287 nC58ns/328ns400V, 50A, 7,9Ohm, 15V80 ns-40°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD120T25S1PT
IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
450 : € 5,22736
Stange
-
Stange
AktivFeldblende1200 V50 A100 A2,4V bei 15V, 25A348 W1,44mJ (Ein), 550µJ (Aus)Standard204 nC73ns/269ns600V, 25A, 23Ohm, 15V100 ns-40°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD120T40S1PT
IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
Vorrätig
450 : € 6,56464
Stange
-
Stange
Nur verfügbar bisFeldblende1200 V80 A160 A2,4V bei 15V, 40A357 W1,96mJ (Ein), 540µJ (Aus)Standard341 nC65ns/308ns600V, 40A, 10Ohm, 15V100 ns-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247
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Transistoren - IGBTs - Einzeln


Einzel-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die für hohe Ströme ausgelegt sind und schnelle Schaltvorgänge ermöglichen. Zu den charakteristischen Merkmalen zählen Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, Kollektorstrom, Impulskollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gateladung.