Transistoren - IGBTs - Einzeln | DigiKey, ein Distributor elektronischer Komponenten

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Product Status	IGBT-Typ	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Leistung - Max.	Schaltenergie	Eingangstyp	Gate-Ladung	Td (on/off) bei 25°C	Testbedingung	Umkehrerholungszeit (trr)	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

RGTVX6TS65GC11 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	351 Vorrätig	1 : € 6,46000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	144 A	320 A	1,9V bei 15V, 80A	404 W	2,65mJ (Ein), 1,8mJ (Aus)	Standard	171 nC	45ns/201ns	400V, 80A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGS80TSX2HRC11 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	132 Vorrätig	1 : € 9,48000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	80 A	120 A	2,1V bei 15V, 40A	555 W	3mJ (Ein), 3,1mJ (Aus)	Standard	104 nC	49ns/199ns	600V, 40A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGTH00TK65GC11 IGBT Rohm Semiconductor	408 Vorrätig	1 : € 5,57000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	35 A	200 A	2,1V bei 15V, 50A	72 W	-	Standard	94 nC	39ns/143ns	400V, 50A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGTV00TK65GVC11 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	450 Vorrätig	1 : € 5,61000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	45 A	200 A	1,9V bei 15V, 50A	94 W	1,17mJ (Ein), 940µJ (Aus)	Standard	104 nC	41ns/142ns	400V, 50A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGTH80TK65DGC11 IGBT Rohm Semiconductor	446 Vorrätig	1 : € 5,78000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	31 A	160 A	2,1V bei 15V, 40A	66 W	-	Standard	79 nC	34ns/120ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	58 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGS80TS65HRC11 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT. Rohm Semiconductor	274 Vorrätig	1 : € 5,96000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	73 A	120 A	2,1V bei 15V, 40A	272 W	1,05mJ (Ein), 1,03mJ (Aus)	Standard	48 nC	37ns/112ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGW80TK65DGVC11 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	440 Vorrätig	1 : € 5,98000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	39 A	160 A	1,9V bei 15V, 40A	81 W	760µJ (Ein), 720µJ (Aus)	Standard	110 nC	44ns/143ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	92 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGTH00TK65DGC11 IGBT Rohm Semiconductor	450 Vorrätig	1 : € 6,45000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	35 A	200 A	2,1V bei 15V, 50A	72 W	-	Standard	94 nC	39ns/143ns	400V, 50A, 10Ohm, 15V	225 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGW00TK65DGVC11 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	315 Vorrätig	1 : € 6,61000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	45 A	200 A	1,9V bei 15V, 50A	89 W	1,18mJ (Ein), 960µJ (Aus)	Standard	141 nC	52ns/180ns	400V, 50A, 10Ohm, 15V	95 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGTVX2TS65GC11 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 Rohm Semiconductor	430 Vorrätig	1 : € 5,63000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	111 A	240 A	1,9V bei 15V, 60A	319 W	2,08mJ (Ein), 1,15mJ (Aus)	Standard	123 nC	49ns/150ns	400V, 60A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGS30TSX2GC11 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12 Rohm Semiconductor	440 Vorrätig	1 : € 5,78000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	30 A	45 A	2,1V bei 15V, 15A	267 W	740µJ (Ein), 600µJ (Aus)	Standard	41 nC	30ns/70ns	600V, 15A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGTV80TK65DGVC11 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 Rohm Semiconductor	450 Vorrätig	1 : € 6,46000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	39 A	160 A	1,9V bei 15V, 40A	85 W	1,02mJ (Ein), 710µJ (Aus)	Standard	81 nC	39ns/113ns	400V, 40A, 10Ohm, 15V	101 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGTVX2TS65DGC11 650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	190 Vorrätig	1 : € 6,58000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	111 A	240 A	1,9V bei 15V, 60A	319 W	2,08mJ (Ein), 1,15mJ (Aus)	Standard	123 nC	49ns/150ns	400V, 60A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGS50TSX2GC11 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12 Rohm Semiconductor	366 Vorrätig	1 : € 6,68000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	50 A	75 A	2,1V bei 15V, 25A	395 W	1,4mJ (Ein), 1,65mJ (Aus)	Standard	67 nC	37ns/140ns	600V, 25A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGS80TSX2GC11 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12 Rohm Semiconductor	321 Vorrätig	1 : € 8,70000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	1200 V	80 A	120 A	2,1V bei 15V, 40A	555 W	3mJ (Ein), 3,1mJ (Aus)	Standard	104 nC	49ns/199ns	600V, 40A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGPR10BM40FHTL IGBT Rohm Semiconductor	2.386 Vorrätig	1 : € 1,59000 Gurtabschnitt (CT) 2.500 : € 0,76177 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Automotive, AEC-Q101	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	-	460 V	20 A	-	2,0V bei 5V, 10A	107 W	-	Standard	14 nC	500ns/4µs	300V, 8A, 100Ohm, 5V	-	-40°C bis 75°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63	TO-252
RGT8TM65DGC9 FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	909 Vorrätig	1 : € 1,72000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	5 A	12 A	2,1V bei 15V, 4A	16 W	-	Standard	13.5 nC	17ns/69ns	400V, 4A, 50Ohm, 15V	40 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3 voller Pack	TO-220NFM
RGT16TM65DGC9 FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	998 Vorrätig	1 : € 2,20000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	9 A	24 A	2,1V bei 15V, 8A	22 W	-	Standard	21 nC	13ns/33ns	400V, 8A, 10Ohm, 15V	42 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3 voller Pack	TO-220NFM
RGT40TM65DGC9 FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	862 Vorrätig	1 : € 2,98000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	17 A	60 A	2,1V bei 15V, 20A	39 W	-	Standard	40 nC	22ns/75ns	400V, 20A, 10Ohm, 15V	58 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3 voller Pack	TO-220NFM
RGCL60TS60GC11 IGBT Rohm Semiconductor	364 Vorrätig	1 : € 3,45000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Nicht für Neukonstruktionen	Trench Feldstopp	600 V	48 A	120 A	1,8V bei 15V, 30A	111 W	770µJ (Ein), 1,11mJ (Aus)	Standard	68 nC	44ns/186ns	400V, 30A, 10Ohm, 15V	-	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGCL60TS60DGC11 IGBT Rohm Semiconductor	216 Vorrätig	1 : € 3,96000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Nicht für Neukonstruktionen	Trench Feldstopp	600 V	48 A	120 A	1,8V bei 15V, 30A	111 W	770µJ (Ein), 1,11mJ (Aus)	Standard	68 nC	44ns/186ns	400V, 30A, 10Ohm, 15V	58 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247N
RGCL60TK60DGC11 IGBT Rohm Semiconductor	384 Vorrätig	1 : € 4,59000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	600 V	30 A	120 A	1,8V bei 15V, 30A	54 W	770µJ (Ein), 1,11mJ (Aus)	Standard	68 nC	44ns/186ns	400V, 30A, 10Ohm, 15V	58 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-3PFM, SC-93-3	TO-3PFM
RGT8NS65DGC9 IGBT Rohm Semiconductor	990 Vorrätig	1 : € 1,80000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	8 A	12 A	2,1V bei 15V, 4A	65 W	-	Standard	13.5 nC	17ns/69ns	400V, 4A, 50Ohm, 15V	40 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-262-3, lange Anschlüsse, I²Pak, TO-262AA	TO-262
RGT16NS65DGC9 IGBT Rohm Semiconductor	673 Vorrätig	1 : € 2,28000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	16 A	24 A	2,1V bei 15V, 8A	94 W	-	Standard	21 nC	13ns/33ns	400V, 8A, 10Ohm, 15V	42 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-262-3, lange Anschlüsse, I²Pak, TO-262AA	TO-262
RGT30TM65DGC9 FIELD STOP TRENCH IGBT Rohm Semiconductor	958 Vorrätig	1 : € 2,59000 Stange	-	Stange	Aktiv	Trench Feldstopp	650 V	14 A	45 A	2,1V bei 15V, 15A	32 W	-	Standard	32 nC	18ns/64ns	400V, 15A, 10Ohm, 15V	55 ns	-40°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-220-3 voller Pack	TO-220NFM

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Transistoren - IGBTs - Einzeln

Einzel-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind mehrschichtige Halbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die für hohe Ströme ausgelegt sind und schnelle Schaltvorgänge ermöglichen. Zu den charakteristischen Merkmalen zählen Typ, Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, Kollektorstrom, Impulskollektorstrom, VCE(ON), Schaltenergie und Gateladung.

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