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FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
1 : € 6,82000
Gurtabschnitt (CT)
400 : € 4,76433
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1700 V4 A (Tc)18V1,5Ohm bei 1,1A, 18V4V bei 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V-44W (Tc)175°C (TJ)OberflächenmontageTO-268TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA
SCT2xxxNYTB
SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Rohm Semiconductor
400
Vorrätig
1 : € 7,18000
Gurtabschnitt (CT)
400 : € 5,12605
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1700 V5,9 A (Tc)18V975mOhm bei 1,7A, 18V4V bei 630µA17 nC @ 18 V+22V, -6V275 pF @ 800 V-57W (Tc)175°C (TJ)OberflächenmontageTO-268TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA
SCT3series
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Rohm Semiconductor
1.481
Vorrätig
1 : € 19,48000
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : € 12,65010
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)650 V38 A (Tc)-78mOhm bei 13A, 18V5,6V bei 6,67mA58 nC @ 18 V+22V, -4V852 pF @ 500 V-159W175°C (TJ)OberflächenmontageTO-263-7TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CA
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
635
Vorrätig
1 : € 0,25000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,04217
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm bei 100mA, 2,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
657.000
Vorrätig
1 : € 0,26000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,04713
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V800mV bei 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageUMT3FSC-85
SST3
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
324.000
Vorrätig
1 : € 0,32000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,05705
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-200mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
360.000
Vorrätig
1 : € 0,41000
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : € 0,06255
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V100mA (Ta)1,2V, 4,5V3,5OhmA 100mA, 4,5V1V bei 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageVMT3SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
64.000
Vorrätig
1 : € 0,38000
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : € 0,06406
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2Ohm bei 200mA, 2,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageVMT3SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
192.000
Vorrätig
1 : € 0,43000
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : € 0,07182
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)50 V200mA (Ta)1,2V, 4,5V2,2Ohm bei 200mA, 4,5V1V bei 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageVMT3SOT-723
VML0604
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Rohm Semiconductor
56.000
Vorrätig
1 : € 0,51000
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : € 0,13707
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V150mA (Ta)1,5V, 4,5V2Ohm bei 150mA, 4,5V1V bei 100µA-±10V12 pF @ 10 V-100mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageVML06043-XFDFN
TUMT3
RTF025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
Rohm Semiconductor
9.000
Vorrätig
1 : € 0,73000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,28147
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V2,5 A (Ta)2,5V, 4,5V67mOhm bei 2,5A, 4,5V1,5V bei 1mA5.2 nC @ 4.5 V±12V270 pF @ 10 V-800mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageTUMT33-SMD, flache Anschlüsse
TUMT3
RZF030P01TL
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Rohm Semiconductor
9.000
Vorrätig
1 : € 0,68000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,26271
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)12 V3 A (Ta)1,5V, 4,5V39mOhm bei 3A, 4,5V1V bei 1mA18 nC @ 4.5 V±10V1860 pF @ 6 V-800mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageTUMT33-SMD, flache Anschlüsse
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6P015SPTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
1 : € 0,81000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,31588
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)100 V1,5 A (Ta)4V, 10V470mOhm bei 1,5A, 10V2,5V bei 1mA322 nC @ 10 V±20V950 pF @ 25 V-600mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageTSMT6 (SC-95)SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
SC-62_MPT3
RHP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Rohm Semiconductor
17.000
Vorrätig
1 : € 0,82000
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : € 0,35200
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V2 A (Ta)4V, 10V200mOhm bei 2A, 10V2,5V bei 1mA14 nC @ 10 V±20V140 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageMPT3TO-243AA
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
1 : € 2,82000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 1,30295
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V22 A (Ta), 76 A (Tc)4,5V, 10V4,1mOhm bei 22A, 10V2,5V bei 2mA130 nC @ 10 V±20V5850 pF @ 15 V-3W (Ta)150°C (TJ)Oberflächenmontage8-HSOP8-PowerTDFN
8-SOIC
RRH140P03TB1
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Rohm Semiconductor
2.500
Vorrätig
1 : € 2,88000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 1,33236
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenP-KanalMOSFET (Metalloxid)30 V14 A (Ta)4V, 10V7mOhm bei 14A, 10V2,5V bei 1mA80 nC @ 5 V±20V8000 pF @ 10 V-650mW (Ta)150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOP8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
TO-247N
SCT3120ALHRC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
120
Vorrätig
1 : € 10,62000
Stange
Stange
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)650 V21 A (Tc)18V156mOhm bei 6,7A, 18V5,6V bei 3,33mA38 nC @ 18 V+22V, -4V460 pF @ 500 V-103W175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247NTO-247-3
SCT3105KRC14-front
SCT3080KRC14
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Rohm Semiconductor
270
Vorrätig
1 : € 17,60000
Stange
-
Stange
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V31 A (Tc)18V104mOhm bei 10A, 18V5,6V bei 5mA60 nC @ 18 V+22V, -4V785 pF @ 800 V-165W175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-4LTO-247-4
SCT3105KRC14-front
SCT3060ARC14
SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
Rohm Semiconductor
60
Vorrätig
1 : € 24,92000
Stange
-
Stange
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)650 V39 A (Tc)18V78mOhm bei 13A, 18V5,6V bei 6,67mA58 nC @ 18 V+22V, -4V852 pF @ 500 V-165W175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-4LTO-247-4
TO-247N
SCT3080KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
300
Vorrätig
1 : € 27,40000
Stange
Stange
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V31 A (Tc)18V104mOhm bei 10A, 18V5,6V bei 5mA60 nC @ 18 V+22V, -4V785 pF @ 800 V-165W175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3030ALHRC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
270
Vorrätig
1 : € 54,77000
Stange
Stange
AktivN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)650 V70 A (Tc)18V39mOhm bei 27A, 18V5,6V bei 13,3mA104 nC @ 18 V+22V, -4V1526 pF @ 500 V-262W175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247NTO-247-3
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
16.000
Vorrätig
1 : € 0,26000
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : € 0,04098
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V100mA (Ta)1,2V, 4,5V3,8Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 100µA-±10V15 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageVMT3SOT-723
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
78.000
Vorrätig
1 : € 0,22000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,03721
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V250mA (Ta)2,5V, 10V2,4Ohm bei 250mA, 10V2,3V bei 1mA-±20V15 pF @ 25 V-200mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageSST3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
3.000
Vorrätig
1 : € 0,29000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,05209
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-KanalMOSFET (Metalloxid)20 V100mA (Ta)1,2V, 4,5V3,8Ohm bei 100mA, 4,5V1V bei 100µA-±10V15 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)OberflächenmontageEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
EMT3F
RE1L002SNTL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Rohm Semiconductor
24.000
Vorrätig
1 : € 0,41000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,07193
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalMOSFET (Metalloxid)60 V250mA (Ta)10V2,4Ohm bei 250mA, 10V2,3V bei 1mA-±20V15 pF @ 25 V-150mW (Ta)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
Angezeigt werden
1 - 25
von 1.135

Rohm Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln


Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.