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FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SC-70-6
SQ1912AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
Vishay Siliconix
5.942
Vorrätig
1 : € 0,48000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,16795
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard20V800mA (Tc)280mOhm bei 1,2A, 4,5V1,5V bei 250µA1,25nC bei 4,5V27pF bei 10V1,5W-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
8-PowerWDFN
SIZ346DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Vishay Siliconix
4.958
Vorrätig
1 : € 0,71000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,28474
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V17 A (Tc), 30 A (Tc)28,5mOhm bei 10A, 10V, 11,5mOhm bei 14,4A, 10V2,2V bei 250µA, 2,4V bei 250µA5nC bei 4,5V, 9nC bei 4,5V325pF bei 15V, 650pF bei 15V16W, 16,7W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-Power33 (3x3)
8-PowerPair
SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
Vishay Siliconix
13.321
Vorrätig
1 : € 1,18000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,53561
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard80V8,9A (Ta), 24,7A (Tc), 8,9A (Ta), 24,6A (Tc)24,5mOhm bei 10A, 10V, 24,7mOhm bei 10A, 10V2,4V bei 250µA27nC bei 10V820pF bei 40V4,3W (Ta), 33W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair® (3,3x3,3)
8-PowerWDFN
SIZ342ADT-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
Vishay Siliconix
3.712
Vorrätig
1 : € 0,84000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,33476
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V15,7A (Ta), 33,4A (Tc)9,4mOhm bei 10A, 10V2,4V bei 250µA12,2nC bei 10V580pF bei 15V3,7W (Ta), 16,7W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-Power33 (3x3)
SIZ988DT-T1-GE3
SIZ988DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Vishay Siliconix
4.948
Vorrätig
1 : € 1,25000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,56947
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V40 A (Tc), 60 A (Tc)7,5mOhm bei 10A, 10V, 4,1mOhm bei 19A, 10V2,4V bei 250µA, 2,2V bei 250µA10,5nC bei 4,5V, 23,1nC bei 4,5V1000pF bei 15V, 2425pF bei 15V20,2W, 40W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair®
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7900AEDN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Vishay Siliconix
41.508
Vorrätig
1 : € 1,66000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,75417
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainLogikpegel-Gate20V6A26mOhm bei 8,5A, 4,5V900mV bei 250µA16nC bei 4,5V-1,5W-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® 1212-8 DualPowerPAK® 1212-8 Dual
SC-70-6
SQ1922AEEH-T1_GE3
MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
Vishay Siliconix
0
Vorrätig
1 : € 0,45000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,15936
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard20V850mA (Tc)300mOhm bei 400mA, 4,5V2,5V bei 250µA1,2nC bei 4,5V60pF bei 10V1,5W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA517DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Vishay Siliconix
2.251
Vorrätig
1 : € 0,62000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,22266
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN- und P-KanalLogikpegel-Gate12V4,5A29mOhm bei 5A, 4,5V1V bei 250µA15nC bei 8V500pF bei 6V6,5W-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® SC-70-6 DualPowerPAK® SC-70-6 Dual
8-PowerWDFN
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Vishay Siliconix
2.860
Vorrätig
1 : € 0,84000
Gurtabschnitt (CT)
6.000 : € 0,36939
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard25V11,1 A (Ta), 25,3 A (Tc), 15 A (Ta), 30 A (Tc)15mOhm bei 5A, 10V, 10mOhm bei 5A, 10V2,5V bei 250µA6,9nC bei 10V, 11,3nC bei 10V325pF bei 10V, 600pF bei 10V2,9W (Ta), 15W (Tc), 3,6W (Ta), 16,2W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-Power33 (3x3)
8-TSSOP 8-MSOP
SI6926ADQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Vishay Siliconix
6.000
Vorrätig
1 : € 0,94000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,43018
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V4,1A30mOhm bei 4,5A, 4,5V1V bei 250µA10,5nC bei 4,5V-830mW-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)8-TSSOP
8-PowerWDFN
SIZ350DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Vishay Siliconix
2.569
Vorrätig
1 : € 1,01000
Gurtabschnitt (CT)
6.000 : € 0,50283
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V18,5 A (Ta), 30 A (Tc)6,75mOhm bei 15A, 10V2,4V bei 250µA20,3nC bei 10V940pF bei 15V3,7W (Ta), 16,7W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-Power33 (3x3)
PowerPAIR® 6x5F
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
Vishay Siliconix
2.875
Vorrätig
1 : € 1,12000
Gurtabschnitt (CT)
6.000 : € 0,56178
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V23 A (Ta), 75 A (Tc), 34 A (Ta), 141 A (Tc)4,5mOhm bei 10A, 10V, 1,84mOhm bei 10A, 10V2,2V bei 250µA22nC bei 10V, 62nC bei 10V1100pF bei 15V, 3150pF bei 15V3,8W (Ta), 48W (Tc), 4,3W (Ta), 74W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair® (6x5)
8-SOIC
SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Vishay Siliconix
1.108
Vorrätig
1 : € 1,20000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,54546
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate12V6,7A18mOhm bei 8,9A, 4,5V1V bei 350µA52nC bei 4,5V-1,1W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
8-Power Pair
SIZ926DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Vishay Siliconix
1.246
Vorrätig
1 : € 1,27000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,57563
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard25V40 A (Tc), 60 A (Tc)4,8mOhm bei 5A, 10V, 2,2mOhm bei 8A, 10V2,2V bei 250µA19nC bei 10V, 41nC bei 10V925pF bei 10V, 2150pF bei 10V20,2W, 40W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair® (6x5)
Pkg 5547
SI5902BDC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Vishay Siliconix
2.094
Vorrätig
1 : € 1,29000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,58487
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate30V4A65mOhm bei 3,1A, 10V3V bei 250µA7nC bei 10V220pF bei 15V3,12W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SMD, flacher Anschluss1206-8 ChipFET™
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
SISF04DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
2.307
Vorrätig
1 : € 1,32000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,59595
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal (zweifach), gemeinsamer DrainStandard30V30A (Ta), 108A (Tc)4mOhm bei 7A, 10V2,3V bei 250µA60nC bei 10V2600pF bei 15V5,2W (Ta), 69,4W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® 1212-8SCDPowerPAK® 1212-8SCD
8-Power Pair
SIZ980DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Vishay Siliconix
1.299
Vorrätig
1 : € 1,45000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,72339
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dual), schottkyStandard30V20 A (Tc), 60 A (Tc)6,7mOhm bei 15A, 10V, 1,6mOhm bei 19A, 10V2,2V bei 250µA8,1nC bei 4,5V, 35nC bei 4,5V930pF bei 15V, 4600pF bei 15V20W, 66W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair® (6x5)
8-SOIC
SQ4282EY-T1_BE3
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
1.743
Vorrätig
1 : € 1,47000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,67044
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V8 A (Tc)12,3mOhm bei 15A, 10V2,5V bei 250µA47nC bei 10V2367pF bei 15V3,9W (Tc)-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
8-SOIC
SI4963BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
Vishay Siliconix
1.354
Vorrätig
1 : € 1,47000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,66998
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V4,9A32mOhm bei 6,5A, 4,5V1,4V bei 250µA21nC bei 4,5V-1,1W-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
8-SOIC
SQ4282EY-T1_GE3
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
1.309
Vorrätig
1 : € 1,47000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,67044
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V8 A (Tc)12,3mOhm bei 15A, 10V2,5V bei 250µA47nC bei 10V2367pF bei 15V3,9W-55°C bis 175°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7913DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
Vishay Siliconix
2.589
Vorrätig
1 : € 1,60000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,81573
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V5A37mOhm bei 7,4A, 4,5V1V bei 250µA24nC bei 4,5V-1,3W-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontagePowerPAK® 1212-8 DualPowerPAK® 1212-8 Dual
1.890
Vorrätig
1 : € 1,60000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,72724
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)Standard30V23 A (Ta), 40 A (Tc)4mOhm bei 10A, 10V, 1,25mOhm bei 10A, 10V2,4V bei 250µA, 2,2V bei 250µA22nC bei 10V, 95nC bei 10V1060pF bei 15V, 4320pF bei 15V3,4W (Ta), 26,6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair® (6x5)
SI7252ADP-T1-GE3
SIZF906BDT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
1.408
Vorrätig
1 : € 1,61000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,73354
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dual), schottkyStandard30V36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)2,1mOhm bei 15A, 10V, 680µOhm bei 20A, 10V2,2V bei 250µA49nC bei 10V, 165nC bei 10V1630pF bei 15V, 5550pF bei 15V4,5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair® (6x5)
8-SOIC
SI4943CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
Vishay Siliconix
2.266
Vorrätig
1 : € 1,66000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 0,84652
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 P-Kanal (zweifach)Logikpegel-Gate20V8A19,2mOhm bei 8,3A, 10V3V bei 250µA62nC bei 10V1945pF bei 10V3,1W-50°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)8-SOIC
PowerPAIR® 6x5F
SIZF920DT-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Vishay Siliconix
2.748
Vorrätig
1 : € 1,86000
Gurtabschnitt (CT)
6.000 : € 0,94194
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-kanal (dual), schottkyStandard30V28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)3,07mOhm bei 10A, 10V, 1,05mOhm bei 10A, 10V2,4V bei 250µA, 2,2V bei 250µA29nC bei 10V, 125nC bei 10V1300pF bei 15V, 5230pF bei 15V3,9W (Ta), 28W (Tc), 4,5W (Ta), 74W (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-PowerWDFN8-PowerPair® (6x5)
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays


Field-effect transistors (FET) are electronic devices which use an electric field to control the flow of current. Application of a voltage to the gate terminal alters the conductivity between the drain and source terminals. FETs are also known as unipolar transistors since they involve single-carrier-type operation. That is, FETs use electrons or holes as charge carriers in their operation, but not both. Field effect transistors generally display very high input impedance at low frequencies.