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Preis
Serie
Gehäuse
Product Status
Getriebene Konfiguration
Kanaltyp
Anzahl der Treiber
Gattertyp
Spannung - Versorgung
Logikspannung - VIL, VIH
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
Eingangstyp
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
HVSOF5
BD2270HFV-TR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
Rohm Semiconductor
10.777
Vorrätig
1 : € 1,69000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,72501
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivHohe SeiteEinzeln1N-Kanal-MOSFET2,7V bis 5,5V--Nicht invertierend-130µs, 18µs-25°C bis 85°C (TA)OberflächenmontageSOT-6655-HVSOF
HVSOF5
BD2270HFV-LBTR
IC GATE DRVR HIGH-SIDE HVSOF5
Rohm Semiconductor
2.069
Vorrätig
1 : € 1,47000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,63089
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivHohe SeiteEinzeln1N-Kanal-MOSFET2,7V bis 5,5V--Nicht invertierend-130µs, 18µs-25°C bis 85°C (TA)OberflächenmontageSOT-6655-HVSOF
8-SOP
BS2101F-E2
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
Rohm Semiconductor
145
Vorrätig
1 : € 1,46000
Gurtabschnitt (CT)
-
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenHigh-Side oder Low-SideSynchron2IGBT, N-Kanal-MOSFET10V bis 18V1V, 2,6V60 mA, 130 mANicht invertierend600 V60ns, 20ns-40°C bis 125°C (TA)Oberflächenmontage8-SOIC (0,173", 4,40mm Breite)8-SOP
SOP28
BS2132F-E2
600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Rohm Semiconductor
121
Vorrätig
1 : € 3,30000
Gurtabschnitt (CT)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletHohe Seite3-Phasen3IGBT, N-Kanal-MOSFET11,5V bis 20V0,8V, 2,6V-Nicht invertierend600 V125ns, 50ns-40°C bis 125°C (TA)Oberflächenmontage28-SOIC (0,295", 7,50mm Breite)28-SOP
20-SSOP
BM60212FV-CE2
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
Rohm Semiconductor
1
Vorrätig
1 : € 4,40000
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : € 2,35296
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivHigh-Side und Low-SideSynchron2IGBT, N-Kanal-MOSFET10V bis 24V0,8V, 2V4,5A, 3,9ANicht invertierend1200 V50ns, 50ns-40°C bis 125°C (TA)Oberflächenmontage20-SSOP (0,240", 6,10mm Breite)20-SSOP-BW
20-SSOP
BM60213FV-CE2
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
1 : € 4,40000
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : € 2,35296
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivHigh-Side oder Low-SideUnabhängig2IGBT, N-Kanal-MOSFET10V bis 24V0,8V, 2V4,5A, 3,9ANicht invertierend1200 V50ns, 50ns-40°C bis 125°COberflächenmontage20-SSOP (0,240", 6,10mm Breite)20-SSOP-BW
24-HTSSOP
BD16950EFV-CE2
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 24HTSSOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
1 : € 5,87000
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : € 3,13826
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivHalbbrückeUnabhängig2N-Kanal-MOSFET3V bis 5,5V--Nicht invertierend---40°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage24-VSSOP (0,220", 5,60mm Breite) mit freiliegendem Pad24-HTSSOP-B
100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN
BD2320EFJ-LAE2
100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
1 : € 2,45000
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : € 1,17795
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivHigh-Side und Low-SideUnabhängig2N-Kanal-MOSFET7,5V bis 14,5V1,7V, 1,5V3,5 A, 4,5 ANicht invertierend100 V8ns, 6ns-40°C bis 125°C (TA)Oberflächenmontage8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) mit freiliegendem Pad8-HTSOP-J
1CH 4A HIGH SPEED LOW-SIDE GATE
BD2310G-TR
1CH 4A HIGH SPEED LOW-SIDE GATE
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
1 : € 1,19000
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : € 0,51030
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivNiedrige SeiteEinzeln1IGBT, N-Kanal-MOSFET4,5V bis 18V-4A, 4ANicht invertierend-10ns, 10ns-40°C bis 125°COberflächenmontageSC-74A, SOT-7535-SSOP
20-SSOP
BM6103FV-CE2
IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
Aktiv
-
Lose im Beutel
AktivNiedrige Seite-1IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET4,5 bis 5,5V--Invertierend, Nicht invertierend-50ns, 50ns-40°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage20-LSSOP (0,240", 6,10mm Breite)20-SSOP-B
16-SSOPB
BD6562FV-LBE2
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SSOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
Obsolet
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletNiedrige SeiteUnabhängig2IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET10V bis 25V-600mA, 600mANicht invertierend---25°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage16-LSSOP (0,173", 4,40mm Breite)16-SSOP-B
16-SSOPB
BD6563FV-LBE2
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SSOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
Obsolet
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletNiedrige SeiteUnabhängig3IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET10V bis 25V-600mA, 600mANicht invertierend---25°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage16-LSSOP (0,173", 4,40mm Breite)16-SSOP-B
BS2103F-E2
BS2103F-E2
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
Obsolet
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletHalbbrückeUnabhängig2IGBT, N-Kanal-MOSFET10V bis 18V1V, 2,6V60 mA, 130 mANicht invertierend600 V200ns, 100ns-40°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage8-SOIC (0,173", 4,40mm Breite)8-SOP
24-HTSSOP
BD16952EFV-ME2
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 24HTSSOP
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
Aktiv
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivHalbbrückeUnabhängig2N-Kanal-MOSFET3V bis 5,5V--Nicht invertierend---40°C bis 150°C (TJ)Oberflächenmontage24-VSSOP (0,220", 5,60mm Breite) mit freiliegendem Pad24-HTSSOP-B
188
Vorrätig
1 : € 1,23000
Gurtabschnitt (CT)
*
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv--------------
SOP-8
BS2114F-E2
600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID
Rohm Semiconductor
0
Vorrätig
Obsolet
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
ObsoletHigh-Side oder Low-SideUnabhängig2IGBT, N-Kanal-MOSFET10V bis 20V0,8V, 2,6V-Invertierend600 V30ns, 30ns-40°C bis 125°C (TA)Oberflächenmontage8-SOIC (0,173", 4,40mm Breite)8-SOP
Angezeigt werden
von 16

PMIC - Gate-Treiber


Gate-Treiber-PMICs (Power Management Integrated Circuits) sind Elemente, mit denen sich Isolierung, Verstärkung, Referenz-Shifting, Bootstrapping oder andere Funktionen realisieren lassen, die nötig sind, damit Signale von einem Steuergerät in einer Stromwandlungsanwendung zu den Halbleiterbausteinen (in der Regel FETs oder IGBTs) übertragen werden können, durch welche hindurch der geregelte Strom fließt. Welche genauen Funktionen jedes Element konkret bietet, richtet sich nach der Halbleiterkonfiguration, für deren Ansteuerung es konzipiert ist.