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Vergleichen | Herst.-Teilenr. | Preis | Lagerbestand | Lieferant | Herst. | Mindestmenge | DK-Teilenr. | Serie | Gehäuse | Produktstatus | Sensortyp | Erfassungsbereich | Schnittstelle | Empfindlichkeit | Spannung - Versorgung | Embedded | Gelieferter Inhalt | Verwendetes IC / Teil |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
€ 79,11000 | 33 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-EVALPASCO2SENSOR2GOTOBO1-ND | XENSIV™ | Lose im Beutel | Aktiv | Kohlendioxid (CO2) | - | I²C, PWM, UART | ±3% | 3,3V, 12V | Ja, MCU | Platine(n), Kabel | PAS CO2 | ||
€ 26,82000 | 136 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-EVALPASCO2MINIBOARDTOBO1-ND | XENSIV™ | Lose im Beutel | Aktiv | Kohlendioxid (CO2) | - | I²C, PWM, UART | ±3% | 3,3V, 12V | Ja, MCU | Platine(n) | PAS CO2 | ||
€ 14,74000 | 84 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-S2GO3DTLI493DW2BWA0TOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Hall-Effekt | ±160mT | I²C | - | 2,8V bis 3,5V | Ja | Platine(n) | TLI493D | ||
 3D MAGNETIC SENSOR 2GO | € 27,09000 | 72 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | TLE493DW2B6MS2GOTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, linear, Drehposition | ±160mT bis ±230mT | I²C, seriell | - | 2,8V bis 3,5V | - | Platine(n) | TLE493D-W2B6 | |
€ 27,28000 | 54 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-TLV493DA1B6MS2GOTOBO1-ND | - | Box | Aktiv | Magnetisch, linear, Drehposition | ±130mT | USB | - | 5V, USB | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLV493D-A1B6 | ||
€ 27,08000 | 21 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-KP236PS2GOKITTOBO1-ND | XENSIV™ | Box | Aktiv | Druck | 40 bis 115 kPa | Analog | ±1kPa | 4,5V bis 5,5V | - | Platine(n) | KP236 | ||
€ 93,32000 | 3 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-TLE5014PROGKITTOBO1-ND | - | Box | Aktiv | Magnetisch, GMR (Giant magnetwiderstandsbeständig) | - | - | - | - | - | Platine(n) | TLE5014 | ||
€ 60,34000 | 6 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | TLE5501EVALKITTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, Drehposition | 360° | - | - | - | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLE5501 | ||
€ 77,91000 | 3 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-EVALSHNBV01DPS310TOBO1-ND | - | Box | Aktiv | Druck | 300 bis 1200 hPa | RF | - | 1,7V bis 3,6V | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | DPS310, XMC1100 | ||
€ 14,89000 | 9 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-S2GOCURSENSETLI4971TOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Stromsensor | ±120A | Analog | 10mV/A | 3,1V bis 3,5V | Ja, MCU | Platine(n) | TLI4971 | ||
€ 22,33000 | 4 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-TLI4971MS2GOTOBO1-ND | Automotive, AEC-Q100 | Lose im Beutel | Aktiv | Stromsensor | ±120A | Analog | 10mV/A | 3,1V bis 3,5V | Ja, MCU | Platine(n) | TLI4971 | ||
€ 93,86000 | 3 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-TLE5014CPSEVALKITTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, GMR (Giant magnetwiderstandsbeständig) | - | SENT, SPC, SPW | - | - | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLE5014, XMC1100 | ||
€ 132,75000 | 2 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 Nicht auf Lager | 448-DEMOSENSE2GOLTOBO1-ND | - | Box | Obsolet | - | - | - | - | - | Nein | - | - | ||
€ 9,27000 | 7 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-KP229E3518PS2GOKITTOBO1-ND | XENSIV™ | Box | Aktiv | Druck | 50 bis 400 kPa | Analog | ±4kPa | 4,5V bis 5,5V | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | KP229E3518 | ||
€ 14,32000 | 4 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-KP275PS2GOKITTOBO1-ND | XENSIV™ | Box | Aktiv | Druck | 10 bis 400kPa | SENT | ±3kPa | 4,5V bis 5,5V | - | Platine(n) | KP275 | ||
€ 25,65000 | 3 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-KP215F1701PS2GOKITTOBO1-ND | XENSIV™ | Box | Aktiv | Druck | 10 bis 115kPa | Analog | ±1,4kPa | 4,5V bis 5,5V | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | KP215F1701 | ||
€ 26,82000 | 0 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-KP254PS2GOKITTOBO1-ND | XENSIV™ | Box | Aktiv | Druck | 40 bis 115 kPa | Seriell, SPI | ±1,5kPa | 3,3V, 5V | - | Platine(n) | KP254 | ||
 SPEED-TO-GO-KIT | € 41,98000 | 2 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | SPEEDTOGOKITTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Hall-Effekt | ±500mT | Digital | - | - | - | Platine(n) | TLE4922 | |
€ 26,82000 | 0 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | TLE5012BE5000MS2GOTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, Drehposition | 360° | - | - | - | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLE5012B | ||
€ 27,98000 | 5 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | TLE5012BE1000MS2GOTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, Drehposition | 360° | - | - | - | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLE5012B | ||
€ 27,98000 | 2 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | TLI5012BE1000MS2GOTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, Drehposition | 360° | - | - | - | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLI5012B | ||
€ 27,98000 | 1 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | TLE5012BE9000MS2GOTOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, Drehposition | 360° | - | - | - | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLE5012B | ||
€ 77,91000 | 1 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | EVALSHNBV01DPS368TOBO1-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Druck | 300 bis 1200 hPa | I²C, seriell, SPI | - | 1,7V bis 3,6V | - | Platine(n) | DPS368 | ||
 DEV KIT | € 25,07000 | 0 - Sofort | Rochester Electronics, LLC | Infineon Technologies | 1 | 2156-TLI4970050-ND | - | Lose im Beutel | Aktiv | Stromsensor | 50A | Seriell, SPI | - | 3,1V bis 3,5V | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLI4970-D050T4, XMC1100 | |
 TLE493D-P2B6MS2GO KIT | € 26,82000 | 3 - Sofort | Infineon Technologies | Infineon Technologies | 1 | 448-TLE493DP2B6MS2GOTOBO1-ND | XENSIV™ | Lose im Beutel | Aktiv | Magnetisch, Hall-Effekt | ±160mT | I²C | 15.4LSB/mT, 7.7LSB/mT | 2,8V bis 3,5V | Ja, MCU, 32 Bit | Platine(n) | TLE493D-P2B6, XMC1100 |
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