Name: SUP90100E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUP90100E-GE3-ND
Price: 5.0874 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUP90100E-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SUP90100E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUP90100E-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 150 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10,9mOhm bei 16A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3930 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 150 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 2 038

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Lose im Beutel