Name: SQS420EN-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS420EN-T1_GE3TR-ND
Price: 1.6958 EUR
Availability: InStock

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SQS420EN-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQS420EN-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQS420EN-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQS420EN-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQS420EN-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 8 A (Tc) 18W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 4.5 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±8V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 490 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 18W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 28mOhm bei 5A, 4,5V	Basis-Produktnummer SQS420
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA