SQM120N03-1M5L_GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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SQM120N03-1M5L_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQM120N03-1M5L_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQM120N03-1M5L_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQM120N03-1M5L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQM120N03-1M5L_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 120A TO263
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 270 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 15605 pF @ 15 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer SQM120
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA

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