Name: SIUD412ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIUD412ED-T1-GE3TR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

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SIUD412ED-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIUD412ED-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIUD412ED-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIUD412ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIUD412ED-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 12 V 500mA (Tc) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® 0806
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIUD412ED-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	500mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,2V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	340mOhm bei 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	21 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,25W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 0806
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 0806
Basis-Produktnummer	SIUD412

Fragen und Antworten zum Produkt

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