Name: SI5515CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI5515CDC-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI5515CDC-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 4A 3,1W Oberflächenmontage 1206-8 ChipFET™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI5515CDC-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	36mOhm bei 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	800mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11,3nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	632pF bei 10V
Leistung - Max.	3,1W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	1206-8 ChipFET™
Basis-Produktnummer	SI5515