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Toshiba Semiconductor and Storage
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Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Oberflächenmontage S-Mini
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2SA1312GRTE85LF

DigiKey-Teilenr.
2SA1312GRTE85LFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2SA1312GRTE85LF
Beschreibung
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Oberflächenmontage S-Mini
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
2SA1312GRTE85LF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
200 bei 2mA, 6V
Herst.
Leistung - Max.
150 mW
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Frequenz - Übergang
100MHz
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
120 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
S-Mini
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 1mA, 10mA
Basis-Produktnummer
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
2SA1163-GR,LFToshiba Semiconductor and Storage1 6102SA1163-GRLFCT-ND€ 0,22000Direkter Ersatz
Obsolet
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