Name: FDMS4435BZ
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDMS4435BZ-ND
Price: 0.47418 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDMS4435BZ
DigiKey-Teilenr.	2156-FDMS4435BZ-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	FDMS4435BZ
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 9 A (Ta), 18 A (Tc) 2,5W (Ta), 39W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Ta), 18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2050 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN