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N-Kanal 250 V 65 A (Ta) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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RJK2511DPK-00#T0

DigiKey-Teilenr.
RJK2511DPK-00#T0-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RJK2511DPK-00#T0
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 65 A (Ta) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RJK2511DPK-00#T0 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Herst.
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4900 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
34mOhm bei 32,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
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