Name: IXYH100N65C3
Brand: IXYS
SKU: IXYH100N65C3-ND
Price: 13.7006 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXYH100N65C3
Digi-Key-Teilenr.	IXYH100N65C3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXYH100N65C3
Beschreibung	IGBT 650V 200A 830W TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	73 Wochen
Detaillierte Beschreibung	IGBT PT 650 V 200 A 830 W Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Herst.	IXYS
Serie	GenX3™, XPT™
Gehäuse	Stange
Produktstatus	Aktiv
IGBT-Typ	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	200 A
Strom - Gepulst, Kollektor (Icm)	420 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,3V bei 15V, 70A
Leistung - Max.	830 W
Schaltenergie	2,15mJ (Ein), 840µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	164 nC
Td (on/off) bei 25°C	28ns/106ns
Testbedingung	400V, 50A, 3Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Basis-Produktnummer	IXYH100

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	IXYH100N65C3
Informationen zur Umweltverträglichkeit	Ixys IC REACH
Datenblatt (HTML)	IXYH100N65C3

Umwelt- und Exportklassifikationen

Eigenschaft	Beschreibung
RoHS-Status	RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)	1 (Unbegrenzt)
REACH-Status	Von REACH nicht betroffen
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
California Proposition 65	Warnhinweise