1200-V/2-A-Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Sperrgleichrichter SICU02120G4J-TP

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Produktempfehlungen > 1200-V/2-A-Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Sperrgleichrichter SICU02120G4J-TP

            1200-V/2-A-Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Sperrgleichrichter SICU02120G4J-TP
                    Die 1200-V/2-A-SiC-Schottky-Diode SICU02120G4J-TP von MCC ist ideal für hocheffiziente Hochgeschwindigkeits- und Hochtemperatur-Leistungswandlungen
    

Der 2-A-Hochspannungs-SiC-Schottky-Sperrgleichrichter SICU02120G4J-TP von Micro Commercial Components ist in einem branchenüblichen DPAK-Gehäuse erhältlich. Durch die Nutzung der überlegenen Materialeigenschaften von SiC eliminiert diese Diode die Sperrschichtladung (Q_rr), eine Hauptquelle für Schaltverluste in herkömmlichen Siliziumdioden. Sie ist für eine hocheffiziente Leistung in Hochspannungs- und Hochfrequenz-Leistungswandlungssystemen konzipiert und bietet überlegene Zuverlässigkeit, einen höheren Betrieb bei höheren Temperaturen und reduzierte EMI.

Merkmale/Funktionen

Der Null-Sperrverzögerungsstrom eliminiert Rückspeiseverluste und ermöglicht eine höhere Effizienz
Der positive Temperaturkoeffizient mit Durchlassspannung (V_f) steigt mit der Temperatur an, was die natürliche thermische Stabilität fördert und den Parallelbetrieb für höhere Stromkapazitäten erleichtert
Bietet ultraschnelle Schaltfunktionen und ist daher ideal für Hochfrequenzschaltungen

Kann bei höheren Sperrschichttemperaturen betrieben werden (T_j max. = +175 °C), was die Robustheit des Systems erhöht und den Kühlungsbedarf reduziert
Das DPAK-Gehäuse bietet eine einheitliche Grundfläche für eine einfache Integration und verfügt mit seinem freiliegenden Wärmeleitpad über eine gute Leistungsaufnahmefähigkeit
RoHS- und halogenfrei, entspricht den globalen Umweltstandards und Initiativen für umweltfreundliche Fertigung

Anwendungen/Zielmärkte