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eGaN-FETs EPC2030/31/32

Die EPC2030/31/32 erweitern EPC's Produktlinie von eGaN-Leistungstransistoren mit leistungsstarken, Chip-Gehäusen mit größerem Raster

Bild der eGan-FETs EPC2030/31/32 von EPCEPC kündigt die Erweiterung des eGaN-Leistungstransistorportfolios mit leistungsstarken Chip-Gehäusen mit größerem Raster für die einfache Massenfertigung und verbesserte Kompatibilität mit alten Herstellungsverfahren und Montagelinien an. Der 80 V EPC2029 wird um drei neue Komponenten für 40 V (EPC2030), 60 V (EPC2031) und 100 V (EPC2032) ergänzt.

Die EPC2030/31/32 Anreicherungs-Leistungstransistoren erweitern die Familie der Komponenten mit "entspanntem Raster" von EPC, die ein 1 mm Kugelraster bieten. Das breitere Raster ermöglicht die Platzierung zusätzlicher und größerer Durchkontaktierungen unter der Komponente und ermöglicht damit, trotz des extrem kleinen 4,6 mm x 2,6 mm Platzbedarfs, eine höhere Stromtragfähigkeit. Im Vergleich zu einem modernen Silizium-Leistungs-MOSFET mit ähnlichem Betriebswiderstand sind diese Produkte viel kleiner und haben ein überragendes Schaltverhalten. Sie sind ideal für Anwendungen wie Hochfrequenz-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung in DC/DC- und AC/DC-Wandlern, Motorantrieben und Audioanwendungen der Klasse D.

EPC2030-Merkmale
  • VDS, 40 V
  • RDS(ON), 2,4 mΩ
  • ID, 31 A
  • Gepulster ID, 495 A
  • RoHS 6/6
  • Halogenfrei
EPC2031-Merkmale
  • VDS, 60 V
  • RDS(ON), 2,6 mΩ
  • ID, 31 A
  • Gepulster ID, 450 A
  • RoHS 6/6
  • Halogenfrei
EPC2032-Merkmale
  • VDS, 100 V
  • RDS(ON), 4 mΩ
  • ID, 31 A
  • Gepulster ID, 300 A
  • RoHS 6/6
  • Halogenfrei

EPC2030/31/32

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare Menge
GANFET NCH 40V 31A DIEEPC2030GANFET NCH 40V 31A DIE2868 - SofortDetails anzeigen
GANFET NCH 60V 31A DIEEPC2031GANFET NCH 60V 31A DIE53049 - SofortDetails anzeigen
GANFET N-CH 100V 48A DIEEPC2032GANFET N-CH 100V 48A DIE30654 - SofortDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2015-05-29