Indice prodotti > Circuiti integrati (CI) > PMIC - Gate driver

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Fabbricante Imballaggio Serie Stato componente Driven Configuration Tipo di canale Number of Drivers Gate Type Alimentazione di tensione Logic Voltage - VIL, VIH Current - Peak Output (Source, Sink) Tipo di ingresso Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) Tempo di salita/discesa (tip.) Temperatura di funzionamento Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
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Confronta componenti Datasheets Immagine Codice Digi-Key Codice produttore Fabbricante Descrizione Quantità disponibile
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Prezzo unitario
EUR
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Quantità minima di ordinazione
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Imballaggio Serie Stato componente Driven Configuration Tipo di canale Number of Drivers Gate Type Alimentazione di tensione Logic Voltage - VIL, VIH Current - Peak Output (Source, Sink) Tipo di ingresso Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) Tempo di salita/discesa (tip.) Temperatura di funzionamento Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 12.000 - Immediatamente
0,18812 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
Automobilistico, AEC-Q101 Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 25 V (max)
-
10 A, 10 A Non invertente
-
48ns, 35ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 14.506 - Immediatamente
0,55000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
Automobilistico, AEC-Q101 Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 25 V (max)
-
10 A, 10 A Non invertente
-
48ns, 35ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 14.506 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
Automobilistico, AEC-Q101 Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 25 V (max)
-
10 A, 10 A Non invertente
-
48ns, 35ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-26
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 5.000 - Immediatamente
0,20259 2.500 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo Semiponte Sincrono 2 MOSFET a canale N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8V, 2V
-
Non invertente 35V 16ns, 11ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 8.487 - Immediatamente
0,59000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo Semiponte Sincrono 2 MOSFET a canale N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8V, 2V
-
Non invertente 35V 16ns, 11ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 8.487 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo Semiponte Sincrono 2 MOSFET a canale N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8V, 2V
-
Non invertente 35V 16ns, 11ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) 8-SOIC
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 12.000 - Immediatamente
54.000 - Scorte di fabbrica
?
0,20306 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
Automobilistico, AEC-Q101 Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (max)
-
10 A, 10 A Non invertente
-
48ns, 35ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 15.163 - Immediatamente
54.000 - Scorte di fabbrica
?
0,54000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
Automobilistico, AEC-Q101 Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (max)
-
10 A, 10 A Non invertente
-
48ns, 35ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 15.163 - Immediatamente
54.000 - Scorte di fabbrica
?
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
Automobilistico, AEC-Q101 Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (max)
-
10 A, 10 A Non invertente
-
48ns, 35ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 12.000 - Immediatamente
0,21118 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 40 V (max)
-
5 A, 5 A Non invertente
-
8,9ns, 8,9ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 13.702 - Immediatamente
0,56000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 40 V (max)
-
5 A, 5 A Non invertente
-
8,9ns, 8,9ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 13.702 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 40 V (max)
-
5 A, 5 A Non invertente
-
8,9ns, 8,9ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3111ESXTR-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 30.000 - Immediatamente
0,26398 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 MOSFET a canale N 4,5 V ~ 18 V
-
1,4 A, 1,4 A Non invertente
-
9ns, 8ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3111ESXCT-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 35.567 - Immediatamente
0,70000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 MOSFET a canale N 4,5 V ~ 18 V
-
1,4 A, 1,4 A Non invertente
-
9ns, 8ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3111ESXDKR-ND IC GATE DVR SGL 1A EXTER SOT23-5 35.567 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 MOSFET a canale N 4,5 V ~ 18 V
-
1,4 A, 1,4 A Non invertente
-
9ns, 8ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 15.000 - Immediatamente
0,27210 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 20 V (max)
-
9 A, 9 A Non invertente
-
8,3ns, 10,8ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17.537 - Immediatamente
0,73000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 20 V (max)
-
9 A, 9 A Non invertente
-
8,3ns, 10,8ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17.537 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 20 V (max)
-
9 A, 9 A Non invertente
-
8,3ns, 10,8ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 6.000 - Immediatamente
0,27210 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 40 V (max)
-
8 A, 8 A Non invertente
-
13,4ns, 12,4ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 6.768 - Immediatamente
0,73000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 40 V (max)
-
8 A, 8 A Non invertente
-
13,4ns, 12,4ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 6.768 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 IGBT, MOSFET a canale N 40 V (max)
-
8 A, 8 A Non invertente
-
13,4ns, 12,4ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SOT-23-6 SOT-23-6
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3100CSXTR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 6.000 - Immediatamente
87.000 - Scorte di fabbrica
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0,33983 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 MOSFET a canale N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Invertente, Non invertente
-
13ns, 9ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3100CSXCT-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 7.750 - Immediatamente
87.000 - Scorte di fabbrica
?
0,82000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 MOSFET a canale N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Invertente, Non invertente
-
13ns, 9ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - Fairchild/ON Semiconductor FAN3100CSXDKR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 7.750 - Immediatamente
87.000 - Scorte di fabbrica
?
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Singolo 1 MOSFET a canale N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Invertente, Non invertente
-
13ns, 9ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146TR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 6.000 - Immediatamente
0,37904 2.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
-
Attivo Low-side Indipendente 2 MOSFET a canale N, canale P 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Non invertente
-
10ns, 8ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio superficiale (SMD, SMT) 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) 8-SOIC
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19:13:00 2/25/2017