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Fabbricante Serie Stato componente Tipo IGBT Configurazione Tensione di rottura collettore-emettitore (max) Corrente di collettore (Ic) (max) Potenza max Vce(on) (max) a Vge, Ic Corrente di soglia collettore (max) Capacità di ingresso (Cies) a Vce Ingresso Termistore NTC Temperatura di funzionamento Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
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Serie Stato componente Tipo IGBT Configurazione Tensione di rottura collettore-emettitore (max) Corrente di collettore (Ic) (max) Potenza max Vce(on) (max) a Vge, Ic Corrente di soglia collettore (max) Capacità di ingresso (Cies) a Vce Ingresso Termistore NTC Temperatura di funzionamento Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
IXXN110N65C4H1 Datasheet IXXN110N65C4H1 - IXYS IXXN110N65C4H1-ND IGBT 650V 210A 750W SOT227B 241 - Immediatamente
21,25000 1 GenX4™, XPT™ Attivo PT Singolo 650 V 210 A 750 W 2,35 V a 15 V, 110 A 50 µA 3,69nF a 25V Standard No -55 °C ~ 175 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXXN110N65B4H1 Datasheet IXXN110N65B4H1 - IXYS IXXN110N65B4H1-ND IGBT 650V 215A 750W SOT227B 187 - Immediatamente
21,25000 1 GenX4™, XPT™ Attivo PT Singolo 650 V 215 A 750 W 2,1 V a 15 V, 110 A 50 µA 3,65nF a 25V Standard No -55 °C ~ 175 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXGN320N60A3 Datasheet IXGN320N60A3 - IXYS IXGN320N60A3-ND IGBT 600V SOT-227B 159 - Immediatamente
26,23000 1 GenX3™ Attivo PT Singolo 600 V 320 A 735 W 1,25 V a 15 V, 100 A 150 µA 18nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXDN55N120D1 Datasheet IXDN55N120D1 - IXYS IXDN55N120D1-ND IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B 148 - Immediatamente
28,66000 1
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Attivo NPT Singolo 1200 V 100 A 450 W 2,8 V a 15 V, 55 A 3,8 mA 3,3nF a 25V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXYN82N120C3H1 Datasheet IXYN82N120C3H1 - IXYS IXYN82N120C3H1-ND IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B 132 - Immediatamente
35,48000 1 XPT™, GenX3™ Attivo
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Singolo 1200 V 105 A 500 W 3,2 V a 15 V, 82 A 50 µA 4060pF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 785 - Immediatamente
41,26000 1 POWER MOS 7® Attivo PT Singolo 1200 V 128 A 543 W 3,9 V a 15 V, 75 A 1,25 mA 7,04nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ISOTOP®
MG12150S-BN2MM Datasheet MG12150S-BN2MM - Littelfuse Inc. F6498-ND IGBT 1200V 200A 625W PKG S 30 - Immediatamente
84,52000 1
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Attivo Trench Field Stop Semiponte 1200 V 200 A 625 W 1,7 V a 15 V, 150 A (tip.) 1 mA 10,5nF a 25V Standard No -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montaggio su telaio Modulo S-3 S3
APTGT600A60G Datasheet APTGT600A60G - Microsemi Corporation APTGT600A60G-ND POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 155 - Immediatamente
158,83000 1
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Attivo Trench Field Stop Semiponte 600 V 700 A 2300 W 1,8 V a 15 V, 600 A 750 µA 49nF a 25V Standard No -40 °C ~ 175 °C (TJ) Montaggio su telaio SP6 SP6
APTGT600U170D4G Datasheet APTGT600U170D4G - Microsemi Corporation APTGT600U170D4G-ND IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 36 - Immediatamente
164,48000 1
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Attivo Trench Field Stop Singolo 1700 V 1100 A 2900 W 2,4 V a 15 V, 600 A 1 mA 51nF a 25V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio D4 D4
STGE200NB60S Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics 497-6731-5-ND IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP 201 - Immediatamente
26,10000 1 PowerMESH™ Attivo
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Singolo 600 V 200 A 600 W 1,6 V a 15 V, 100 A 500 µA 1,56nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ISOTOP
APT150GN120JDQ4 Datasheet APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4-ND IGBT 1200V 215A 625W SOT227 106 - Immediatamente
49,18000 1
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Attivo Trench Field Stop Singolo 1200 V 215 A 625 W 2,1 V a 15 V, 150 A 300 µA 9,5nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP®
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF-ND IGBT 600V 114A 658W MTP 136 - Immediatamente
53,92000 1
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Attivo
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Semiponte 600 V 114 A 658 W 3,2 V a 15 V, 100 A 400 µA 7,1nF a 30V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio Modulo 12-MTP MTP
MG1275S-BA1MM Datasheet MG1275S-BA1MM - Littelfuse Inc. F6495-ND IGBT 1200V 105A 630W PKG S 111 - Immediatamente
60,95000 1
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Attivo
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Semiponte 1200 V 105 A 630 W 1,8 V a 15 V, 75 A (tip.) 500 µA 5,52nF a 25V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio Modulo S-3 S3
MG06150S-BN4MM Datasheet MG06150S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6492-ND IGBT 600V 225A 500W PKG S 95 - Immediatamente
77,80000 1
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Attivo
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Semiponte 600 V 225 A 500 W 1,45 V a 15 V, 150 A (tip.) 1 mA 9,3nF a 25V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio Modulo S-3 S3
APT75GN120JDQ3 Datasheet APT75GN120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3-ND IGBT 1200V 124A 379W SOT227 119 - Immediatamente
30,65000 1
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Attivo Trench Field Stop Singolo 1200 V 124 A 379 W 2,1 V a 15 V, 75 A 200 µA 4,8nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ISOTOP®
APT75GP120J Datasheet APT75GP120J - Microsemi Corporation APT75GP120J-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 135 - Immediatamente
38,38000 1 POWER MOS 7® Attivo PT Singolo 1200 V 128 A 543 W 3,9 V a 15 V, 75 A 1 mA 7,04nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ISOTOP®
APT100GT120JRDQ4 Datasheet APT100GT120JRDQ4 - Microsemi Corporation APT100GT120JRDQ4-ND IGBT 1200V 123A 570W SOT227 178 - Immediatamente
48,55000 1 Thunderbolt IGBT® Attivo NPT Singolo 1200 V 123 A 570 W 3,7 V a 15 V, 100 A 200 µA 7,85nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ISOTOP®
APTGFQ25H120T2G Datasheet APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G-ND IGBT 1200V 40A 227W MODULE 159 - Immediatamente
54,95000
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Non per nuovi progetti NPT e fieldstop Ponte intero 1200 V 40 A 227 W 2,1 V a 15 V, 25 A 250 µA 2,02 nF a 25 V Standard Si
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Foro passante SP2 SP2
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 122 - Immediatamente
73,52000 1
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Attivo
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Singolo 600 V 400 A 961 W 1,66 V a 15 V, 200 A 1 mA 16,25nF a 30V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4 SOT-227
APT60GF120JRDQ3 Datasheet APT60GF120JRDQ3 - Microsemi Corporation APT60GF120JRDQ3-ND IGBT 1200V 149A 625W SOT227 31 - Immediatamente
76,78000 1
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Attivo NPT Singolo 1200 V 149 A 625 W 3 V a 15 V, 100 A 350 µA 7,08nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ISOTOP®
MG06200S-BN4MM Datasheet MG06200S-BN4MM - Littelfuse Inc. F6493-ND IGBT 600V 300A 600W PKG S 86 - Immediatamente
87,98000 1
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Attivo
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Semiponte 600 V 300 A 600 W 1,45 V a 15 V, 200 A (tip.) 1 mA 13nF a 25V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio Modulo S-3 S3
MG12150D-BA1MM Datasheet MG12150D-BA1MM - Littelfuse Inc. F6480-ND IGBT 1200V 210A 1100W PKG D 53 - Immediatamente
109,32000 1
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Attivo
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Semiponte 1200 V 210 A 1100 W 1,8 V a 15 V, 150 A (tip.) 1 mA 11nF a 25V Standard No -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio Modulo D3
APTGL475A120D3G Datasheet APTGL475A120D3G - Microsemi Corporation APTGL475A120D3G-ND POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3 30 - Immediatamente
166,43000 1
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Attivo Trench Field Stop Semiponte 1200 V 610 A 2080 W 2,2 V a 15 V, 400 A 5 mA 24,6nF a 25V Standard No -40 °C ~ 175 °C (TJ) Montaggio su telaio Modulo D-3 D3
APT85GR120J Datasheet APT85GR120J - Microsemi Corporation APT85GR120J-ND IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP 116 - Immediatamente
31,28000 1
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Attivo NPT Singolo 1200 V 116 A 543 W 3,2 V a 15 V, 85 A 1 mA 8,4nF a 25V Standard No -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC SOT-227
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 349 - Immediatamente
31,59000 1
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Attivo Trench Field Stop Singolo 600 V 283 A 682 W 1,85 V a 15 V, 200 A 25 µA 14,1nF a 25V Standard No -55 °C ~ 175 °C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ISOTOP®
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19:13:05 2/25/2017