Indice prodotti > Dispositivi a semiconduttore discreti > Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati

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Fabbricante Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Corrente di collettore (Ic) (max) Tensione di rottura collettore-emettitore (max) Resistore - Base (R1) (ohm) Resistore - Base emettitore (R2) (ohm) Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce Vce saturazione (max) a Ib, Ic Corrente di soglia collettore (max) Frequenza - transizione Potenza max Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
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Imballaggio Serie Stato componente Tipo di transistore Corrente di collettore (Ic) (max) Tensione di rottura collettore-emettitore (max) Resistore - Base (R1) (ohm) Resistore - Base emettitore (R2) (ohm) Guadagno in corrente c.c. (hFE) (min) su Ic, Vce Vce saturazione (max) a Ib, Ic Corrente di soglia collettore (max) Frequenza - transizione Potenza max Tipo di montaggio Contenitore / involucro Contenitore del fornitore
   
DDTD113ZC-7-F Datasheet DDTD113ZC-7-F - Diodes Incorporated DDTD113ZC-7FDITR-ND TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 177.000 - Immediatamente
0,04724 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 500 mA 50 V 1 k 10 k 56 a 50 mA, 5 V 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 500 nA 200MHz 200 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
DDTD113ZC-7-F Datasheet DDTD113ZC-7-F - Diodes Incorporated DDTD113ZC-7FDICT-ND TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 177.368 - Immediatamente
0,28000 1 Nastrato (CT)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 500 mA 50 V 1 k 10 k 56 a 50 mA, 5 V 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 500 nA 200MHz 200 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
DDTD113ZC-7-F Datasheet DDTD113ZC-7-F - Diodes Incorporated DDTD113ZC-7FDIDKR-ND TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 177.368 - Immediatamente
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Attivo NPN - pre-polarizzato 500 mA 50 V 1 k 10 k 56 a 50 mA, 5 V 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 500 nA 200MHz 200 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3
MMUN2211LT3G Datasheet MMUN2211LT3G - ON Semiconductor MMUN2211LT3GOSTR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 30.000 - Immediatamente
0,01587 10.000 Nastrati in bobina (nib)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 10 k 35 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2211LT3G Datasheet MMUN2211LT3G - ON Semiconductor MMUN2211LT3GOSCT-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 49.338 - Immediatamente
0,12000 1 Nastrato (CT)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 10 k 35 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2211LT3G Datasheet MMUN2211LT3G - ON Semiconductor MMUN2211LT3GOSDKR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 49.338 - Immediatamente
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 10 k 35 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2114LT1G Datasheet MMUN2114LT1G - ON Semiconductor MMUN2114LT1GOSTR-ND TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 24.000 - Immediatamente
0,02024 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
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Attivo PNP - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2114LT1G Datasheet MMUN2114LT1G - ON Semiconductor MMUN2114LT1GOSCT-ND TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 26.899 - Immediatamente
0,12000 1 Nastrato (CT)?
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Attivo PNP - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2114LT1G Datasheet MMUN2114LT1G - ON Semiconductor MMUN2114LT1GOSDKR-ND TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 26.899 - Immediatamente
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Attivo PNP - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2133LT1G Datasheet MMUN2133LT1G - ON Semiconductor MMUN2133LT1GOSTR-ND TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 21.000 - Immediatamente
0,02024 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
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Attivo PNP - pre-polarizzato 100 mA 50 V 4,7 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2133LT1G Datasheet MMUN2133LT1G - ON Semiconductor MMUN2133LT1GOSCT-ND TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 26.054 - Immediatamente
0,12000 1 Nastrato (CT)?
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Attivo PNP - pre-polarizzato 100 mA 50 V 4,7 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2133LT1G Datasheet MMUN2133LT1G - ON Semiconductor MMUN2133LT1GOSDKR-ND TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 26.054 - Immediatamente
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Attivo PNP - pre-polarizzato 100 mA 50 V 4,7 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2214LT1G Datasheet MMUN2214LT1G - ON Semiconductor MMUN2214LT1GOSTR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 78.000 - Immediatamente
0,02028 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2214LT1G Datasheet MMUN2214LT1G - ON Semiconductor MMUN2214LT1GOSCT-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 80.348 - Immediatamente
0,12000 1 Nastrato (CT)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2214LT1G Datasheet MMUN2214LT1G - ON Semiconductor MMUN2214LT1GOSDKR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 80.348 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2232LT1G Datasheet MMUN2232LT1G - ON Semiconductor MMUN2232LT1GOSTR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 36.000 - Immediatamente
0,02033 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 4,7 k 4,7 k 15 a 5 mA, 10 V 250 mV a 1 mA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2232LT1G Datasheet MMUN2232LT1G - ON Semiconductor MMUN2232LT1GOSCT-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 37.778 - Immediatamente
0,12000 1 Nastrato (CT)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 4,7 k 4,7 k 15 a 5 mA, 10 V 250 mV a 1 mA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2232LT1G Datasheet MMUN2232LT1G - ON Semiconductor MMUN2232LT1GOSDKR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 37.778 - Immediatamente
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 4,7 k 4,7 k 15 a 5 mA, 10 V 250 mV a 1 mA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2211LT1G Datasheet MMUN2211LT1G - ON Semiconductor MMUN2211LT1GOSTR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 72.000 - Immediatamente
0,02036 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 10 k 35 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2211LT1G Datasheet MMUN2211LT1G - ON Semiconductor MMUN2211LT1GOSCT-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 72.515 - Immediatamente
0,12000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 10 k 35 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2211LT1G Datasheet MMUN2211LT1G - ON Semiconductor MMUN2211LT1GOSDKR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 72.515 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k 10 k 35 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2215LT1G Datasheet MMUN2215LT1G - ON Semiconductor MMUN2215LT1GOSTR-ND TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 36.000 - Immediatamente
0,02036 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k
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160 a 5 mA, 10 V 250 mV a 1 mA, 10 mA 500 nA
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400 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2215LT1G Datasheet MMUN2215LT1G - ON Semiconductor MMUN2215LT1GOSCT-ND TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 37.815 - Immediatamente
0,12000 1 Nastrato (CT)?
Formato alternativo
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k
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160 a 5 mA, 10 V 250 mV a 1 mA, 10 mA 500 nA
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400 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2215LT1G Datasheet MMUN2215LT1G - ON Semiconductor MMUN2215LT1GOSDKR-ND TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 37.815 - Immediatamente
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Formato alternativo
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 10 k
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160 a 5 mA, 10 V 250 mV a 1 mA, 10 mA 500 nA
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400 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2213LT1G Datasheet MMUN2213LT1G - ON Semiconductor MMUN2213LT1GOSTR-ND TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 30.000 - Immediatamente
0,02038 3.000 Nastrati in bobina (nib)?
Formato alternativo
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Attivo NPN - pre-polarizzato 100 mA 50 V 47 k 47 k 80 a 5 mA, 10 V 250 mV a 300 µA, 10 mA 500 nA
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246 mW Montaggio superficiale (SMD, SMT) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
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